第1页共48页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共48页目录前端电路设计与仿真......................................................................................................................2第一节双反相器的前端设计流程...........................................................................................21、画双反相器的visio原理图........................................................................................22、编写.sp文件...............................................................................................................2第二节后端电路设计..............................................................................................................4一、开启linux系统.........................................................................................................42、然后桌面右键重新打开Terminal..............................................................................6双反相器的后端设计流程..............................................................................................................7一、schematic电路图绘制.............................................................................................7二、版图设计................................................................................................................20画版图一些技巧：........................................................................................................29三、后端验证和提取.....................................................................................................30第三节后端仿真....................................................................................................................36其它知识........................................................................................................................39第2页共48页第1页共48页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第2页共48页前端电路设计与仿真第一节双反相器的前端设计流程1、画双反相器的visio原理图图1.1其中双反相器的输入为in输出为out，fa为内部节点。电源电压VDD=1.8V，MOS管用的是TSMC的1.8V典型MOS管(在Hspice里面的名称为pch和nch，在Cadence里面的名称为pmos2v和nmos2v)。2、编写.sp文件新建dualinv.txt文件然后将后缀名改为dualinv.sp文件具体实例.sp文件内容如下：第3页共48页第2页共48页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第3页共48页.lib'F:\ProgramFiles\synopsys\rf018.l'TT是TSMC用于仿真的模型文件位置和选择的具体工艺角*****这里选择TT工艺角***********划红线部分的数据请参考excel文件《尺寸对应6参数》，MOS管的W不同对应的6个尺寸是不同的，但是这六个尺寸不随着L的变化而变化。划紫色线条处的端口名称和顺序一定要一致MOS场效应晶体管描述语句：(与后端提取pex输出的网表格式相同)MMXDGSBMNAME
2.1、在windowXP开始--程序这里打开Hspice程序第4页共48页第3页共48页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第4页共48页2.2、弹出以下画面然后进行仿真查看波形按钮按下后弹出以下对话框如果要查看内部节点的波形，双击Top处如果要查看测量语句的输出结果请查看.MTO文件(用记事本打开)第5页共48页第4页共48页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第5页共48页至此前端仿真教程结束第二节后端电路设计前序(打开Cadence软件)一、开启linux系统双击桌面虚拟机的图标选择Poweronthisvirtualmachine开启linux之后在桌面右键选择OpenTerminal第6页共48页第5页共48页编号：时间...
