《电子技术基础》（模电+数电）教材配套课件刘鹏、刘旭主编北京理工大学出版社ISBN:978-7-5640-7300-8教学目的及要求：教学目的及要求：1.1.了解本征半导体和杂质半导体了解本征半导体和杂质半导体2.2.掌握掌握PNPN结的形成以及结的形成以及PNPN结的特点结的特点3.3.二极管的结构、符号与特性二极管的结构、符号与特性4.4.掌握半导体三极管的电流放大作用和伏安特性掌握半导体三极管的电流放大作用和伏安特性曲线。曲线。教学重点：教学重点：NN，，PP型半导体以及型半导体以及PNPN结的特点，二极管的特结的特点，二极管的特性；掌握半导体三极管的电流放大作用和伏安特性性；掌握半导体三极管的电流放大作用和伏安特性曲线曲线教学难点：教学难点：PNPN结的形成；半导体三极管的电流放大原理结的形成；半导体三极管的电流放大原理第1章半导体器件基础知识第一节半导体的基础知识第一节半导体的基础知识第二节半导体二极管第二节半导体二极管第三节半导体三极管第三节半导体三极管第1章半导体器件基础知识一、半导体的概念一、半导体的概念金属导体内的载流子只有一种，就是自由电子，而且数目很多，所以具有良好的导电性能。绝缘体中载流子的数目很少，因而导电性能很差，几乎不导电。半导体中的载流子数目也不多，远远低于金属导体，其导电性能比导体差而比绝缘体好。半导体:导电性能介于导体与绝缘体之间的物质称半导体。常用的半导体材料有硅（Si）、锗（Ge）、硒（Se）和砷化镓（GaAs）及其他金属氧化物和硫化物等，半导体一般呈晶体结构。第一节半导体的基础知识半导体的导电特性：半导体的导电特性：1.1.掺杂性掺杂性：：在半导体中掺入微量杂质，可改变其电在半导体中掺入微量杂质，可改变其电阻率和导电类型阻率和导电类型((可做成各种不同用途可做成各种不同用途的的半导体器件，如二极管和三极管等）。半导体器件，如二极管和三极管等）。3.3.光敏感性光敏感性：：光照能改变半导体的电阻率。光照能改变半导体的电阻率。((可可做做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极极管、光敏三极管等管、光敏三极管等))。。2.2.温度敏感性温度敏感性：：半导体的电阻率随温度变化很敏感半导体的电阻率随温度变化很敏感,,并并随掺杂浓度不同，具有正或随掺杂浓度不同，具有正或负的电阻温度负的电阻温度系数系数((可做成温度敏感元件，可做成温度敏感元件，如热敏电阻如热敏电阻))。。二、半导体的特性二、半导体的特性纯净的不含任何杂质、晶体结构排列整齐的半导体，称为本征半导体。本征半导体的最外层电子（称为价电子）除受到原子核吸引外还受到共价键束缚，因而它的导电能力差。价电子从外界获得能量，挣脱共价键的束缚而成为自由电子。这时，在共价键结构中留下相同数量的空位，每次原子失去价电子后，变成正电荷的离子，从等效观点看，每个空位相当于带一个基本电荷量的正电荷，成为空穴。三、本征半导体三、本征半导体共价健共价键中的两个电子，称为共价键中的两个电子，称为价电子价电子。。价电子四、四、NN型和型和PP型半导体型半导体掺杂后自由电子数目掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电大量增加，自由电子导电成为这种半导体的主要导成为这种半导体的主要导电方式，称为电子型半导电方式，称为电子型半导体或体或NN型半导体。型半导体。掺入五价元素掺入五价元素多余电子磷原子在常温下即可变为自由电子失去一个电子变为正离子用特殊工艺在本征半导体掺入微量五价用特殊工艺在本征半导体掺入微量五价元素，如磷或砷。元素，如磷或砷。在在NN型半导体中型半导体中自由电子自由电子是多数载流子，空穴是少数载是多数载流子，空穴是少数载流子。流子。掺杂后空穴数目大掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体方式，称为空穴半导体或或PP型半导体。型半导体。掺入三价元素掺入三价元素在在PP型半导体中型半导体中空穴是空穴是多数载流子，自由电子是少数多数载流子，自由电子是少数载流子。载流子。硼原子接受一个接受一个电子变为...
