氮化硅透明陶瓷光学薄膜的制备与特性分析/程芸等·31·氮化硅透明陶瓷光学薄膜的制备与特性分析程芸,杨明红,代吉祥,杨志(武汉理工大学光纤传感技术国家工程实验室,武汉430070)摘要采用射频磁控反应溅射法在不同工艺下制备微米级厚度的氮化硅薄膜,并利用椭圆偏振仪、分光光度计、x射线衍射仪、电子探针显微分析仪以及红外光谱仪对薄膜的光学性能、微观结构及化学成分进行了表征
测试结果表明,当N2和Ar的流量为1:1时所制备样品为非晶态结构的高折射率富氮氮化硅薄膜;低温热处理对薄膜折射率有一定的改善作用;透过率随溅射气压的增加而升高、随功率的增大而降低;N-Si键的强度随溅射气压的升高而降低
关键词氮化硅薄膜射频溅射光学性能FT-IREPMA中图分类号:0436文献标识码:APreparationandCharacterizationofOpticallyTransparentCeramicSiliconNitrideThinFilmsCHENGYun,YANGMinghong,DAIJixiang,YANGZhi(NationalEngineeringLaboratoryforFiberOpticSensingTechnology,WuhanUniversityofTechnology,Wuhan430070)AbstractRadiofrequencymagnetronsputteringmethodwasemployedtOpreparethemicrongradesiliconni—tridethinfilmwithdifferentsputteringprocess.Spectroscopicellipsometry,spectrophotometer,X-raydiffractome—ter,electronprobemicroscopicanalyzerandinfrar