习题1．给出以下概念的解释说明。随机访问存储器(RandomAccessMemory,RAM)只读存储器（ReadOnlyMemory,ROM）静态随机访问存储器(StaticRAM,SRAM)动态随机访问存储器(DynamicRAM,DRAM)刷新(Refresh)易失性存储器(VolatileMemory)相联存储器(ContentAddressedMemory,CAM)存取时间(AccessTime)存储周期(MemoryCycleTime)存储带宽(MemoryBandwidth)片选信号(ChipSelectSignal)地址引脚复用(AddressPinMultiplexing)行选通信号(RowAddressStrobe，RAS)列选通信号(ColumnAddressStrobe,CAS)掩膜ROM（MaskROM）PROM(ProgrammableROM)EPROM(ErasablePROM)EEPROM(ElectricallyEPROM)闪存（FlashMemory）多模块存储器（Multi-ModuleMemory）低位交叉编址(Low-Orderinterleaving)双口RAM(DualPortRAM)高速缓存(Cache)程序访问的局部化时间局部性(TemporalLocality)空间局部性(SpatialLocality)命中率(HitRate)命中时间(HitTime)失靶率(MissRate)失靶损失(MissPenalty)主存块(Block)Cache槽或Cache行(Slot/Line)直接映射Cache(Direct-MappedCache)全相联Cache(FullyAssociativeCache)组相联Cache(Set-AssociativeCache)多级Cache(MultilevelCache)数据Cache代码Cache（指令Cache）分离式Cache(SplitCache)先进先出(First-In-First-Out，FIFO)最近最少用(LeastRecentlyUsed，LRU)WriteThrough（写直达、通过式写、直写）写缓冲(WriteBuffer)WriteBack(写回、回写)虚拟存储器(VirtualMemory)物理存储器(PhysicalMemory)虚拟地址(Virtualaddress)虚页号(VirtualPagenumber)页内偏移量(Pageoffset)物理地址(Physicaladdress)页框(Pageframe)物理页号(Pageframe)地址变换(Addresstranslation/Memorymapping)重定位(Relocation)页表(Pagetable)页表基址寄存器(Pagetablebaseregister)有效位(Validbit)修改位(Modifybit/Dirtybit)使用位(Referencebit/Usebit)访问方式位(Accessbit)缺页(Pagefault)交换(swapping)/页面调度(paging)按需页面调度(Demandpaging)LRU页(LeastRecentlyUsedPage)快表(TranslationLookasideBuffer-TLB)分页式虚拟存储器(PagingVM)分段式虚拟存储器(SegmentationVM)段页式虚拟存储器(PagedSegmentationVM)进程(Process)管理模式(SupervisorMode)用户模式(UserMode)系统调用(Systemcall)异常返回(Returnfromexception)存储保护(Protection)2．简单回答下列问题。（1）计算机内部为何要采用层次化存储体系结构？层次化存储体系结构如何构成？（2）SRAM芯片和DRAM芯片各有哪些特点？各自用在哪些场合？（3）CPU和主存之间有哪两种通信方式？SDRAM芯片采用什么方式和CPU交换信息？（4）为什么在CPU和主存之间引入Cache能提高CPU访存效率？（5）为什么说Cache对程序员来说是透明的？（6）什么是Cache映射的关联度？关联度与命中率、命中时间的关系各是什么？（7）为什么直接映射方式不需要考虑替换策略？（8）为什么要考虑Cache的一致性问题？读操作时是否要考虑Cache的一致性问题？（9）什么是物理地址？什么是逻辑地址？地址转换由硬件还是软件实现？为什么？（10）什么是页表？什么是快表（TLB）？（11）在存储器层次化结构中，“Cache-主存”、“主存-外存”这两个层次有哪些不同？3.已知某机主存容量为64KB，按字节编址。问：1)若用1K×4位的SRAM芯片构成该存储器，需要多少片芯片？2)主存地址共多少位？几位用于选片？几位用于片内选址？3)画出该存储器的逻辑框图。参考答案：1)64KB/1K×4位=128片2)主存地址共16位，6位选片，10位片内选址。4.用64K×1位的DRAM芯片构成256K×8位的存储器，要求：1)计算所需芯片数，并画出该存储器的逻辑框图。2)若采用分散刷新方式，每单元刷新间隔不超过2ms，则刷新信号周期是多少？若采用集中刷新方式，则存储器刷新一遍最少用多少读/写周期？参考答案：1)256KB/64K×1位=32片.2)采用分散刷新时，刷新周期是存储周期的2倍；因为DRAM芯片存储阵列为64K=256×256，所以集中刷新时，整个存储器刷新一遍需要256个存储（读写）周期。（异步刷新的刷新周期为2ms/256=7.8µs）5.用8K×8位的EPROM芯片组成32K×16位的只读存储器，试问：1)数据寄存...
