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半导体存储器和可编程逻辑器件VIP免费

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第178页共7页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第178页共7页第八章半导体存储器和可编程逻辑器件8-1.ROM由主要由哪几部分组成?8-2.试比较ROM、PROM和EPROM及E2PROM有哪些异同?8-3.PROM、EPROM和E2PROM在使用上有哪些优缺点?8-4.RAM由主要由哪几部分组成?各有什么作用?8-5.静态RAM和动态RAM有哪些区别?8-6.RAM和ROM有什么区别,它们各适用于什么场合?8-7.试用ROM实现下列组合逻辑函数。8-8比较GAL和PAL器件在电路结构形式上有什么不同?8-9试分析由PAL编程的组合逻辑电路如图题8-9所示,写出Y1、Y2、Y3与A、B、C、D的逻辑关系表达式。图题8-98-10试分析由PAL编程的时序逻辑电路电路如图题8-10所示,写出电路的驱动方程、状态方程、输出方程、画出电路的状态转换图。8-11可编程逻辑器件有哪些种类?有什么共同特点?第179页共7页第178页共7页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第179页共7页8-12在下列应用场合,选用哪类PLD最为适合。(1)小批量定型的产品中的中小规模逻辑电路。(2)产品研制过程中需要不断修改的中小规模逻辑电路。(3)要求能以遥控方式改变其逻辑功能的逻辑电路。图题8-108-13选择题1.一个容量为1K×8的存储器有个存储单元。A.8B.8KC.8000D.81922.要构成容量为4K×8的RAM,需要片容量为256×4的RAM。A.2B.4C.8D.323.寻址容量为16K×8的RAM需要根地址线。A.4B.8C.14D.16E.16K4.若RAM的地址码有8位,行、列地址译码器的输入端都为4个,则它们的输出线(即字线加位线)共有条。A.8B.16C.32D.2565.某存储器具有8根地址线和8根双向数据线,则该存储器的容量为。A.8×3B.8K×8C.256×8D.256×256第180页共7页第179页共7页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第180页共7页6.采用对称双地址结构寻址的1024×1的存储矩阵有。A.10行10列B.5行5列C.32行32列D.1024行1024列7.随机存取存储器具有功能。A.读/写B.无读/写C.只读D.只写8.欲将容量为128×1的RAM扩展为1024×8,则需要控制各片选端的辅助译码器的输出端数为。A.1B.2C.3D.89.欲将容量为256×1的RAM扩展为1024×8,则需要控制各片选端的辅助译码器的输入端数为。A.4B.2C.3D.810.只读存储器ROM在运行时具有功能。A.读/无写B.无读/写C.读/写D.无读/无写11.只读存储器ROM中的内容,当电源断掉后又接通,存储器中的内容。A.全部改变B.全部为0C.不可预料D.保持不变12.随机存取存储器RAM中的内容,当电源断掉后又接通,存储器中的内容。A.全部改变B.全部为1C.不确定D.保持不变13.一个容量为512×1的静态RAM具有。A.地址线9根,数据线1根B.地址线1根,数据线9根C.地址线512根,数据线9根D.地址线9根,数据线512根14.用若干RAM实现位扩展时,其方法是将相应地并联在一起。A.地址线B.数据线C.片选信号线D.读/写线15.PROM的与陈列(地址译码器)是。A.全译码可编程阵列B.全译码不可编程阵列C.非全译码可编程阵列D.非全译码不可编程阵列第八章半导体存储器和可编程逻辑器件8-1ROM主要由地址译码器、存储距阵、输出缓冲器8-2相同点:半导体存储器是由许多存储单元组成,每个存储单元可存储一位二进制数0或1。不同点:只读存储器ROM用于存放固定不变的数据,存储内容不能随便第181页共7页第180页共7页编号:时间:2021年x月x日书山有路勤为径,学海无涯苦作舟页码:第181页共7页更改。PROM是可编程只读存储器。EPROM是可擦除的可编程只读存储器EEPROM是电擦除的可编程只读存储器。8-3PROM是可编程只读存储器。EPROM是可擦除的可编程只读存储器EEPROM是电擦除的可编程只读存储器,使用最方便。8-4RAM通常由存储器距阵、地址译码器和读/写控制电路组成。存储距阵由许多个存储单元排列而成。在给定地址码后,经地址译码,这些被选中的存储单元由读、写控制电路控制,实现对这些单元的读写操作。8-5静态RAM的存储单元为触发器,工作时不需刷新,但存储容量较小。动态RAM的存储单元是利用MOS管具有极高的输入电阻,在栅极电容上可暂存电荷的特点来存储信息的,由于栅极电容存在漏电,因此,工作时需要周期性地对存储数...

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