示范报告金属电子逸出电势和荷质比的测量实习一金属电子逸出电势的测量【实验要求和目的】1
了解金属电子逸出功的基本理论2
学习用里查孙直线法测定钨的逸出功3
学习用计算机接口辅助进行实验数据采集和处理【实验原理】在理想二极管的阳极上加以正电压时,连接这两个电极的外电路中将有电流通过,这种现象,称为热电子发射
金属中的传导电子能量的分布是按费密—狄喇克能量分布的
即121233]1)[exp()2(4)()(kTEEEmhdEdNENEfF(1)在绝对零度时电子的能量分布如右图中曲线(1)所示
这时电子所具有的最大能量为FE(费密能级)
当温度T>0时,电子的能量分布曲线如图中曲线(2)、(3)所示
通常温度下金属表面与外界(真空)之间存在一个势垒bE,电子要从金属中逸出,至少具有能量bE
在绝对零度时电子逸出金属至少要从外界得到的能量为eEEEFb0(2)0E(或eφ)称为金属电子的逸出功,它表征要使金属中比费米能极FE具有最大能量的电子逸出金属表面所需要给予的能量
φ称为逸出电势
提高阴极温度使其中一部分电子的能量大于势垒bE
这样,能量大于势垒bE的电子就可以从金属中发射出来
因此,逸出功eφ的大小,决定了电子发射的强弱
根据费密—狄喇克能量分布公式(1),可以导出热电子发射的里查孙—热西曼公式)exp(2kTeASTI(3)式中I—热电子发射的电流强度(A)
A—和阴极表面化学纯度有关的系数(A·m-2·K-2)
S—阴极的有效发射面积(m2)
T—发射热电子的阴极的绝对温度(K)
K—玻尔兹曼常数,k=1
38×10-23J·K-1由于A和S两个量难以直接测定,所以在实际测量中用下述的里查孙直线法
将式(3)两边除以2T,再取常用对数得TASkTeASTI11004
2lglg32(4)从(4)式可见,2lgTI与T