针对便携设备的高端负载开关及其关键应用参数VIP免费

首页|登录|现在注册[2010年08月12日]分类：6技术文章关键字：尝试E源搜索，享受专业体验高级搜索|帮助功率设计电子工程专辑首页/功率设计上网日期:2007年06月05日有[0]名读者发表评论申请免费杂志订阅收藏打印版关键字：高端负载开关传输元件栅极控制电路输入逻辑电路MOSFET对于各具特色的移动电话、移动GPS设备和消费电子小玩意等电池供电的便携式设备应用来说，高端负载开关一直受到众多工程师和设计人员的青睐。本文将以易于理解的非数学方式全方位介绍基于MOSFET的高端负载开关，并讨论在设计和选择过程中必须考虑的各种参数。高端负载开关的定义是：它通过外部使能信号的控制来连接或断开至特定负载的电源(电池或适配器)。相比低端负载开关，高端负载开关“流出”电流至负载，而低端负载开关则将负载接地或者与地断开，因此它从负载“汲入”电流。高端负载开关不同于高端电源开关。高端电源开关管理输出电源，因此通常会限制其输出电流。相反地，高端负载开关将输入电压和电流传递给“负载”，并且它不具备电流限制功能。新品|新闻|技术文库|实例|辞典|中国原创|专题讨论|论坛|EE小组|博客|技术专刊|论坛速递|白皮书|在线研讨会EDA/IC设计|工艺/制造|测试/封装|传感技术|放大/调整/转换|RF/无线|数字信号处理|控制技术|网络/协议接口/总线/驱动|缓冲/存储技术|功率设计|EMI/EMC设计|光电及显示技术|嵌入式设计|可编程逻辑|安全设计|设计测试MCUDSP智能手机工程师常用经典设计资料免费下载热门博文榜（７月）电子技术基础知识大全(实时更新)针对便携设备的高端负载开关及其关键应用参数分享Page1of13针对便携设备的高端负载开关及其关键应用参数-功率设计-电子工程专辑2010-8-12http://www.eet-china.com/ART_8800466860_628868_TA_341fe03e.HTM?click_from=RSS关于网易邮箱无法正常收到论坛速递和信息速递最热文章排行榜工程师最喜欢的博客文章排行■最受欢迎的设计资料下载■最新热议行业新闻■看工程师们正热门讨论的话题■精品文章IIC-China2010秋季参展商展前专访：罗姆半导体光伏市场冰火两重天企业生存须知凌力尔特具内部基准的16位4通道DACLTC2655更多精品文章高端负载开关包含三个部分：1.传输元件：本质上是一个晶体管，通常为一个增强型MOSFET。传输元件在线性区工作，将电流从电源传输至负载，就像一个“开关”(与放大器相对应)。2.栅极控制电路：向传输元件的栅极提供电压来控制导通或关断。它还被称为电平转换电路，外部使能信号通过电平转换来产生足够高或者足够低的栅极电压(偏置电压)来全面控制传输元件的导通和关断。3.输入逻辑电路：主要功能是解释使能信号，并触发栅极控制电路来控制传输元件的导通和关断。传输元件传输元件是高端开关最基本的组成部分。最经常考虑的参数，特别是开关导通时的阻抗(RDSON)，与传输元件的结构和特性有直接关系。由于增强型MOSFET一般在工作期间消耗的电流较少，在关断期间泄漏的电流也较少，并且具有比双极晶体管更高的热稳定性，所以被广泛用作高端负载开关中的传输元件。本文将专门介绍基于增强型MOSFET的传输元件。增强型MOSFET传输元件可以是N沟道FET，也可以是P沟道FET。当N沟道FET的栅极电压(VG)比其源极电压(VS)和漏极电压(VD)高出一个阈值(VT)时，N沟道FET就会被完全转换至导通状态或者工作于其线性区。以下式子给出了导通条件的数学表达式：VG－VS＝VGS＞VTVG－VT＞VD或者是，VGS－VT＞VDS白皮书Page2of13针对便携设备的高端负载开关及其关键应用参数-功率设计-电子工程专辑2010-8-12http://www.eet-china.com/ART_8800466860_628868_TA_341fe03e.HTM?click_from=RSS其中，VG为栅极电压、VS为源极电压、VD为漏极电压、VT为FET的阈值电压、VGS为栅－源极压降、VDS为漏－源极压降，所有参数均为正。图1：具有内置电荷泵的N沟道FET高端负载开关。当N沟道FET导通时，漏极电流ID为正，从漏极流向源极(如图1和图2所示)。当P沟道FET的栅极电压(VG)比其源极电压(VS)和漏极电压(VD)低出一个阈值(VT)时，P沟道FET就会被完全转换至导通状态或者工作于其线性区：Seed-基于TIDM6467T的8路D1实时DVR/DVS解决方案NEW!Magma-Tekton...