2半导体器件的开关特性半导体器件的开关特性2
2半导体器件的开关特性半导体器件的开关特性2
3分立元件构成的与、或、非门分立元件构成的与、或、非门2
3分立元件构成的与、或、非门分立元件构成的与、或、非门第2章门电路第2章门电路2
1概述概述2
1概述概述2
4TTLTTL集成门电路集成门电路2
4TTLTTL集成门电路集成门电路2
1概述门电路:实现基本运算、复合运算的单元电路,如与门、与非门、或门……门电路中以高门电路中以高//低电平表低电平表示逻辑状态的示逻辑状态的1/01/0获得高、低电平的基本原理高高//低电平都允许低电平都允许有一定的变化范围有一定的变化范围使用的实际开关为晶体二极管、三极管以及场效应管等电子器件
正逻辑:高电平表示1,低电平表示0负逻辑:高电平表示0,低电平表示1除非特别说明,一律采用正逻辑
2半导体二极管和三极管的开关特性IS----二极管的反向饱和电流;k----玻尔兹曼常数1
381*10-23J/K;T----热力学温度;V----加到二极管两端的电压;q----电子电荷1
6*10-19C一、半导体二极管开关特性1、二极管伏安特性二极管等效电路2、二极管开关特性图2-3二极管的伏安特性曲线图2-2二极管开关电路图2-4二极管正向导通时的等效电路导通条件及特点条件:VD>0
7V特点:相当于0
7V电压降的闭合开关截止条件及特点条件:VD0
7V,iB>0,iC随iB成正比变化,ΔiC=βΔiB②饱和区:条件VCE0,VCE很低,ΔiC随ΔiB增加变缓,“”趋于饱和③截止区:条件VBE=0V,iB=0,iC=0,c—e间“断开”二、半导体三极管开关特性图2-11NPN型硅三极管开关等效电路(a)截止时的理想等效电路(b)饱和时的近似等效电路(c)饱和时的理想等效电路3、双极型