传感器复习提纲1、传感器静态特性指标、动态特性指标。1）传感器的静态特性是指当被测量的值处于稳定状态时的输入—输出关系。衡量静态特性的重要指标是线性度、灵敏度、迟滞和重复性等。P3各指标的概念：P4线性度：传感器的输出与输入之间数量关系的线性程度。（输出与输入关系可分为线性特性和非线性特性）灵敏度S：指传感器的输出量增量△y与引起输出量增量△y的输入量增量△x的比值，即：S=；迟滞特性：传感器在正反行程期间其输入-输出特性曲线不重合的现象称为迟滞。重复性：指传感器在输入量按同一方向作全量程连续多次变化时，所得特性曲线不一致的程度；2）传感器的动态特性是指其输出对随时间变化的输入量的响应特性。P5衡量动态特性的重要指标是瞬态响应特性、频率响应特性。各指标的概念：P6瞬态响应特性：传感器的瞬态响应是时间响应；频率响应特性：传感器对正弦输入信号的响应特性；2、结构型传感器、相敏检波电路的目的。结构型传感器是以结构（如形状、尺寸等）为基础，利用某些物理规律来感受被测量井将其转换为电信号实现测量。相敏检波电路和差动整流电路是为了能辨别差动变压器式传感器衔铁的移动方向及消除零点残余电压。P433、霍尔传感器的公式、超声波方向性、霍尔元件的工作原理及特性。霍尔传感器公式：UH=KHIB.f（）UH为电位差、KH为霍尔片灵敏度、I为激励电流、B为外磁场、f（）为形状效应系数。P80霍尔效应：置于磁场中的静止载流导体，当它的电流方向与磁场方向不一致时，载流导体上平行于电流和磁场方向上的两个面之间产生电动势。霍尔元件的工作原理：霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。霍尔元件的特性：额定激励电流、最大允许激励电流、输入电阻、输出电阻、不等位电势、不等位电阻、寄生直流电势、电势温度系数。各特性概念：P83超声波的指向性：频率越高、指向性越强。（减小λ、减小指向角或增大R，指向性越强）4、光敏二极管、光电池、光电开关及光电断续器。光敏二极管，实际上就是一个光敏电阻，它对光的变化非常敏感。光敏二极管的管芯是一个具有光敏特征的PN结，具有单向导电性，因此可以利用光照强弱来改变电路中的电流。P126-129光电池是在光线照射下直接将光能转换为电能的光电器件。P130光电开关是一种利用感光元件对变化的入射光加以接收，并进行光电转换，同时加以某种形式的放大和控制，从而获得最终的控制输出“开”、“关”信号的器件。P132光电断续器又称为穿透型光电感应器,光遮断器,光电遮断器，也就是将发光组件与受光组件面对面排列并设置于同一封装内，利用检测物体通过时会遮光的原理便得以实现检测功能。5、传感器定义、差动变压器式原理。传感器是一种以一定的精确度把被测量转换为与之有确定对应关系的、便于应用的某种物理量的测量装置。P1差动变压器式传感器：根据变压器的基本原理，把被测的非电量变化转换为线圈互感量变化的传感器。P406、压电传感器用来检测动态或瞬态参量的意义。若作用在压电组件上的力是静态力，则电荷会泄漏，无法进行测量，所以压电传感器通常都用来测量动态或瞬态参量。7、外光电效应、内光电效应。外光电效应：在光线作用下，能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应。内光电效应：受光照的物体导电率发生变化，或者产生光生电动势的效应叫内光电效应。8、电容式传感器的工作原理与结构；光电效应的类型。P54；结构类型有：变极距型电容传感器、变面积型电容式传感器、变介质型电容式传感器。光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类；内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两大类。9、线性度、光电式传感器分类。在规定条件下，传感器校准曲线与拟合直线间的最大偏差与满量程输出的百分比，称为线性度（线性度又称为“非线性误差”），该值越小，表明线性特性越好。δ=.100%线性度是测试系统的输出与输入系统能否像理想系统那样保持正常值比例关系（线性关系）的一种度量。光电式传感器有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管和光敏晶体管、光电池、光耦合器件等光电元件。另外，光电式传感器还可分为模拟式光电式传感器和脉冲式光电式传感器两类。10、光敏三极管来控制路灯...
