2015届开封市高三理综冲刺模拟考试（化学部分）注意事项：1．本试卷分第Ⅰ卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分。答卷前，考生务必将自己的姓名、准考证号填写在答题卡上。2．回答第Ⅰ卷时，选出每小题答案后，用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑。如需改动，用橡皮擦干净后，再选涂其他答案标号。写在本试卷上无效。3．回答第Ⅱ卷时，将答案写在答题卡上。写在本试卷上无效。4．考试结束后，将本试卷和答题卡一并交回。可能用到的相对原子质量：H1C12N14O16Ti48I127W184第Ⅰ卷选择题（每小题6分，共42分，每小题只有一个合理的选项）7．下列有关物质应用的说法正确的是A．玻璃容器可长期盛放各种酸B．P2O5可用于干燥Cl2和NH3B．Si和SiO2都用于制造光导纤维D．Na2S可除去污水中的Cu2+8．下列除杂操作可行的是A．通过浓硫酸除去HCl中的H2OB．通过灼热的镁粉除去N2中的O2C．制二氧化氮时,用水或NaOH溶液吸收尾气D．制氯气时,用饱和NaHCO3溶液和浓硫酸净化气体9．卤代烃在生产生活中具有广泛的应用，下列说法正确的是A．多氯代甲烷中分子结构为正四面体的是二氯甲烷和四氯化碳B．多氯代烷常为有机溶剂，工业上分离这些多氯代物的方法是萃取C．三氟氯溴乙烯（CF3CHClBr）是一种麻醉剂，有4种同分异构体（不考虑立体异构）D．聚氯乙烯是生活中常用的塑料，工业上以乙烯为原料经过加成、消去和聚合反应可生成聚氯乙烯10．X、Y、Z、W均为短周期元素,X是地壳中含量最高的元素,Z2+与X2-具有相同的电子层结构,W原子的最外层电子数是其内层电子数的2倍,Y与W同主族。下列说法正确的是A.原子序数:X>Y>Z>WB.Y的气态氢化物的热稳定性比W的强C.原子半径的大小顺序:r(Z)>r(Y)>r(W)>r(X)D.X分别与Y、Z形成的化合物中化学键类型相同11．我国科学家报道了如图所示的水溶液锂离子电池体系。下列叙述正确的是A．a为电池的负极B．放电时，溶液中的Li+从a向b迁移C．放电时，a极锂元素的化合价发生变化D．电池充电反应为LiMn2O4=Li1-xMn2O4+xLi12．茶叶中铁元素的检验可经以下四个步骤完成，各步骤中选用的实验用品不能都用到的是BA．将茶叶灼烧灰化，选用①、②和⑨B．用浓硝酸溶解茶叶灰并加蒸馏水稀释，选用④、⑥和⑦C．过滤得到滤液，选用④、⑤和⑦D．检验滤液中的Fe3+，选用③、⑧和⑩13．将Cl2通人适量KOH溶液，产物中可能有KC1、KClO、KC1O3，且的值与温度高低有关。当n(KOH)=amol时，下列有关说法不正确的是A．参加反应的氯气的物质的量等于1/2amolB．改变温度，产物中KC1O3的最大理论产量为1/7amolC．若某温度下，反应后＝11，则溶液中＝1/2D．改变温度，反应中转移电子的物质的量ne的范围：1/2amol≤ne≤5/6amol第Ⅱ卷（一）必考题26．（14分）氮化硅(Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷，在航天航空、汽车发动机、机械等领域有着广泛的用途。工业上有多种方法来制备氮化硅，常见的方法有：（1）在1300-l400℃时，高纯粉状硅与纯氮气化合，其反应方程式为_________。（2）在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HCl。①已知：25℃，101kPa条件下的热化学方程式：3Si(s)+2N2(g)=Si3N4(s)△H=-750.2kJ/molSi(s)+2Cl2(g)=SiCl4(g)△H=-609.6kJ/molH2(g)+Cl2(g)=HCl(g)△H=-92.3kJ/mol四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式为____________________。②工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下：已知：X，高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应，Y与X在光照或点燃条件下可反应，Z的焰色呈黄色。上述生产流程中电解A的水溶液时，阳极材料能否用Cu？___________（填“能”或“不能”）。写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式。阳极:；阴极：。由石英砂合成氮化硅粉末的路线图如下所示（把图中的①·⑤改为I-V）①石英砂不能与碱性物质共同存放，以NaOH为例，用化学方程式表示其原因：。②图示I-V的变化中，属于氧化还原反应的是。③SiCl4在潮湿的空气中剧烈水解，产生白雾，军事工业中用于制造烟雾剂。SiCl4水解的化学方程式为___________________。④在反应IV中四氯化硅与氨气反应生成Si(NH2)4和一种气体（填分子式）；在反应V中Si(NH2)4受热分解，分...
