肖特基工艺流程课件目录CONTENTS•肖特基二极管简介•肖特基工艺流程•肖特基二极管性能优化•肖特基二极管可靠性分析•肖特基二极管发展趋势与挑战01肖特基二极管简介CHAPTER123肖特基二极管是一种金属-半导体接触的二极管，利用金属与半导体的功函数差来实现电子的注入和输运。当外加正向电压时，金属与半导体之间的势垒降低，电子从金属流向半导体，形成正向电流。当外加反向电压时，金属与半导体之间的势垒升高，电子难以从半导体流向金属，形成很小的反向电流。肖特基二极管的工作原理由于肖特基二极管具有较低的势垒高度和载流子渡越时间，因此具有高速开关特性。高速开关特性由于金属与半导体的功函数差较小，肖特基二极管的正向压降较低，可降低整流电路的损耗。低正向压降肖特基二极管的反向恢复时间很短，可以在高频条件下工作。反向恢复时间短肖特基二极管的可靠性较高，适用于高可靠性的应用场景。可靠性高肖特基二极管的特点高频整流电路开关电源太阳能逆变器电机控制肖特基二极管的应用场景01020304由于肖特基二极管具有高速开关特性和低正向压降，因此适用于高频整流电路。肖特基二极管可用于开关电源的整流和续流环节，提高电源的效率和稳定性。在太阳能逆变器中，肖特基二极管可用于整流和续流环节，提高逆变器的效率和稳定性。在电机控制中，肖特基二极管可用于整流和续流环节，提高电机的效率和稳定性。02肖特基工艺流程CHAPTER根据器件性能要求，选择合适的衬底材料，如硅、蓝宝石等。衬底选择对衬底进行清洗、干燥、研磨、抛光等处理，确保表面干净、平整。衬底处理衬底选择与处理选用具有高导电性能的金属材料，如金、银、铜等。金属材料选择在衬底表面沉积一定厚度的金属层，形成肖特基接触。金属沉积通过控制金属沉积工艺参数，优化金属形貌，提高肖特基接触质量。金属形貌控制肖特基接触制作03金属化层厚度控制通过控制金属化工艺参数，优化金属化层厚度，提高器件性能。01金属化层制作在肖特基接触上制作一层金属化层，以提高器件性能。02金属化层材料选择选用具有高导电性能的金属材料，如镍、钴等。金属化过程介质隔离介质隔离层制作在金属化层上制作一层介质隔离层，以保护金属化层不受外界环境影响。介质隔离层材料选择选用具有高绝缘性能的介质材料，如二氧化硅、氮化硅等。介质隔离层厚度控制通过控制介质隔离工艺参数，优化介质隔离层厚度，提高器件性能。表面钝化处理在介质隔离层表面进行钝化处理，以提高器件的耐候性和稳定性。钝化材料选择选用具有高耐候性和稳定性的钝化材料，如氧化铝、氧化硅等。钝化膜厚度控制通过控制钝化工艺参数，优化钝化膜厚度，提高器件性能。表面钝化03肖特基二极管性能优化CHAPTER选用高纯度、低缺陷的半导体材料，以提高肖特基二极管的载流子迁移率和稳定性。选用具有低电阻率和优良抗腐蚀性能的金属材料，以减小肖特基二极管的接触电阻和热阻。材料选择与优化金属材料半导体材料优化肖特基接触的几何形状和大小，以降低接触电阻和减小寄生效应。肖特基接触结构设计适当的缓冲层，以缓解金属与半导体之间的应力，提高器件的稳定性和可靠性。缓冲层结构设计优化制程参数优化温度控制精确控制各制程环节的温度，以实现材料的有序生长和有效掺杂。气氛控制优化制程气氛，以减少表面污染和缺陷的产生，提高器件的质量和性能。04肖特基二极管可靠性分析CHAPTER指在一定的温度环境下，肖特基二极管能够正常工作且性能不发生退化的能力。热可靠性高温会导致肖特基二极管的反向饱和电流增加，正向压降增大，从而影响其正向导通能力和反向击穿电压。温度对性能的影响为了提高热可靠性，需要优化器件的热设计，如增加散热片、改善散热通道等。热设计热可靠性分析电应力对性能的影响反向偏置电压、正向偏置电流和开关状态转换等电应力会导致肖特基二极管出现电击穿、热击穿等问题。电可靠性保障措施选择合适的材料和工艺，优化器件的结构设计，降低内阻和寄生效应等。电气可靠性指肖特基二极管在一定的电应力作用下，能够正常工作且性能不发生退化的能力。电气可靠性分析环境因素对性能的影响环境中的温度、湿度、气压、光...
