npn 的电晶体是以电洞(带正电)为多数载子，pnp 则相反是以电子(带负电)为多数载子，而在控制电晶体动作上必须利用电流的顺向偏压或逆向偏压来操作，所以在接点所需的电压大小及正负值必须要正确才能驱动电晶体的动作 电晶体是一种固态装置元件，它具有体积小、效率高、寿命长及速度快等优点。近年来由于技术的进步，已有大量的耐高压、能承受大功率的晶体被制造出来，因此电晶体在功率放大上，一直扮演着重要的角色。3-4-1 电晶体的结构 电晶体的结构很像二极体，不过比二极体多出了一个 接合面。如图 3-15(a)所示，将二层 n 型半导体，中间夹以一层很薄的 p型半导体，即成npn 型电晶体；或 将二层 p 型半导体，中间夹以一层很薄的 n 型半导体，即成pnp 型电晶体。将电晶体的三层晶片都分别列出接线成为电极，中间一片称为基极(base,b)，另两极分别称为射极(emitter,e) 及集极(collector,c)。射极能发射多数载体，基极可控制流向集极之多数载体的数量。集极则能收集射极发射的多数载体，如图 3-15(b)所示，为电晶体的符号，射极之箭头向外的为 npn 型；射极之箭头向内的为 pnp 型。 NPN 和PNP 主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。 NPN 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC），E 极电位最低，且正常放大时通常 C 极电位最高，即 VC > VB > VE PNP 是用 E→B 的电流（IB）控制 E→C 的电流（IC），E 极电位最高，且正常放大时通常 C 极电位最低，即 VC < VB < VE 总之 VB 一般都是在中间，VC 和 VE 在两边，这跟通常的 BJT 符号中的位置是一致的，你可以利用这个帮助你的形象思维和记忆。而且 BJT 的各极之间虽然不是纯电阻，但电压方向和电流方向同样是一致的，不会出现电流从低电位处流行高电位的情况。 如今流行的电路图画法，通常习惯“男上女下”，哦不对，“阳上阴下”，也就是“正电源在上负电源在下”。那 NPN 电路中，E 最终都是接到地板（直接或间接），C 最终都是接到天花板（直接或间接）。PNP 电路则相反，C 最终都是接到地板（直接或间接），E 最终都是接到天花板（直接或间接）。这也是为了满足上面的 VC 和 VE 的关系。一般的电路中，有了 NPN 的，你就可以按“上下对称交换”的方法得到 PNP 的版本。无论何时，只要满足上面的 6 个“极性”关系（4 个电流方向和2 个电压不等式），BJT 电路就可能...
