内存的原理和时序 （SDRAM、DDR、DDR-Ⅱ、Rambus DRAM） 目录 序言 第一章 SDRAM 的原理和时序 1.1 SDRAM 内存模组的物理Bank 与芯片位宽 1.1.1 物理Bank 1.1.2 芯片位宽 1.2 SDRAM 的逻辑Bank 与芯片容量表示方法 1.2.1 逻辑Bank 与芯片位宽 1.2.2 内存芯片的容量 1.2.3 与芯片位宽相关的DIMM 设计 1.3 SDRAM 的引脚与封装 1.4 SDRAM 芯片初始化、行有效、列读写时序 1.4.1 芯片初始化 1.4.2 行有效 1.4.3 列读写 1.5 SDRAM 的读/写时序与突发长度 1.5.1 数据输出（读） 1.5.2 数据输入（写） 1.5.3 突发长度 1.6 预充电 1.7 刷新 1.8 数据掩码 1.9 SDRAM 的结构、时序与性能的关系 1.9.1 影响性能的主要时序参数 1.9.2 增加PHR 的方法 1.9.3 增加PFHR 的方法 1.9.4 内存结构对PHR 的影响 1.9.5 读/写延迟不同对性能所造成的影响 1.9.6 BL 对性能的影响 1.10 仓库物语 第二章 DDR SDRAM 的原理和时序 2.1 DDR 的基本原理 2.2 DDR SDRAM 与SDRAM 的不同 2.3 差分时钟 2.4 数据选取脉冲（DQS） 2.5 写入延迟 2.6 突发长度与写入掩码 2.7 延迟锁定回路（DLL） 第三章 DDR-Ⅱ的原理和新技术 3.1 DDR-Ⅱ内存结构 3.2 DDR-Ⅱ的新操作与新时序设计 3.2.1 片外驱动调校（OCD，Off-Chip Driver） 3.2.2 片内终结（ODT，On-Die Termination） 3.2.3 前置 CAS、附加潜伏期与写入潜伏期 3.3 DDR-Ⅱ未来发展 3.3.1 DDR-Ⅱ的发展计划 3.3.2 DDR-Ⅱ时代的封装技术 第四章 Rambus DRAM 的原理 4.1 RDRAM 简介 4.2 RDRAM 的结构简介 4.2.1 RDRAM 的L-Bank 结构 4.2.2 RDRAM 的主要特点 4.3 RDRAM 的具体操作与相关技术 4.3.1 初始化与命令包 4.3.2 操作时序计算 4.3.3 写入延迟与掩码操作 4.3.4 多通道技术与多通道模组 4.3.5 黄石技术 4.4 延迟与总线利用率的比较 4.5 未来竞争展望 第五章 内存模组介绍 5.1 Unb 与 Reg-DIMM 的区别 5.2 DIMM 引脚的基本设计 5.3 QBM 型 DIMM 5.4 模组的堆叠装配 序言 作为电脑中必不可少的三大件之一（其余的两个是主板与CPU），内存是决定系统性能的关键设备之一，它就像一个临时的仓库，负责数据的中转、暂存…… 不过，虽然内存对系统性能的至关重要，但长期以来，DIYer 并不重视内存，只是将它看作是一种买主板和CPU 时顺带买的“附件”，...
