2.1GaN基LED发光原理大局部LED是利用MOCVD在衬底材料上异质外延而成，目前比拟成熟的衬底材料是蓝宝石和碳化硅，硅基和ZnO基等其他衬底材料...
第1页共42页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共42页1.绪论20世纪90年代以来，由于异质外延缓冲层技术的...
第1页共30页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共30页1引言GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前...
第1页共30页编号：时间：2021年x月x日书山有路勤为径，学海无涯苦作舟页码：第1页共30页1引言GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前...
生成式对抗网络综述报告人：申亚博时间：2017年12月7日CONTENTGaN的概念简介及提出背景GaN的理论与实现模型GaN的应用GaN的思考与前景CONTEN...
GaN基LED外延生长24/10/1922/18内容•GaN材料的特性•GaN基LED的基本结构•蓝宝石衬底上GaN基LED外延材料的生长•GaN基LED外延的晶体评测技...
