2.1GaN基LED发光原理大局部LED是利用MOCVD在衬底材料上异质外延而成，目前比拟成熟的衬底材料是蓝宝石和碳化硅，硅基和ZnO基等其他衬底材料尚未成熟。LED外延片的结构主要包括MIS结、P-N结、双异质结和量子阱几种，当前绝大多数LED均是量子阱结构的。外延片的根本结构如图1-2所示。目前使用的大局部灯具是白炽钨丝灯或者采取气体放电，而半导体发光二极管(LED)的发光原理那么迥然不同。发光二极管自发性(Spontaneous)的发光是由于电子与空穴的复合而产生的。假设发光是在P区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后，再与空穴复合发光。除了这种发光复合外，还有些电子被非发光中心〔这个中心介于导带、介带中间附近〕捕获，而后再与空穴复合，每次释放的能量不大，不能形成可见光。发光的复合量相对于非发光复合量的比例越大，光量子效率越高。由于复合是在少子扩散区内发光的，所以光仅在近PN结面数μm以内产生。理论和实践证明，光的峰值波长λ与发光区域的半导体材料禁带宽度Ｅg有关，即λ=1240/Eg电子由导带向价带跃迁时以光的形式释放能量，大小为禁带宽度Eg，单位为电子伏特〔eV。由光的量子性可知，hf=Eg[h为普朗克常量,f为频率，据f=c/λ,可得λ=hc/Eg,当λ的单位用um,Eg单位用电子伏特〔eV〕时，上式为λ=1.24um·ev/Eg]，假设假设能产生可见光〔波长在380nm紫光～780nm红光〕，半导体材料的Eg应在3.26～1.63eV之间发光效率与材料是否为直接带隙(DirectBandgap)有关，图1.1(a)是直接带隙材料。这些材料的导带最低点与价带的最高点在同一K空间。所以电子与空穴可以有效地再复合(Recombination)而发光。而图1.1(b)的材料均属于间接带隙(IndirectBandgap)，其带隙及导带最低点与价带最高点不在同一K空间，以致电子与空穴复合时除了发光外，还需要产生声子(Phonon)的配合，所以发光效率低[7]。目前发光二极管用的都是直接带隙的材料。2.2大功率LED根本参数及性能指标1．极限参数的意义〔1〕允许功耗Pm:允许加于LED两端正向直流电压与流过它的电流之积的最大值。超过此值，LED发热、损坏。〔2〕最大正向直流电流IFm：允许加的最大的正向直流电流。超过此值可损坏二极管。〔3〕最大反向电压VRm：所允许加的最大反向电压。超过此值，发光二极管可能被击穿损坏。〔4〕工作环境topm:发光二极管可正常工作的环境温度范围。低于或高于此温度范围，发光二极管将不能正常工作，效率大大降低。2．电参数的意义〔1〕光谱分布和峰值波长：某一个发光二极管所发之光并非单一波长，其波长大体按图2所示。由图可见，该发光管所发之光中某一波长λ0的光强最大，该波长为峰值波长。〔3〕光谱半宽度Δλ:它表示发光管的光谱纯度.是指图3中1/2峰值光强所对应两波长之间隔.〔4〕半值角θ1/2和视角：θ1/2是指发光强度值为轴向强度值一半的方向与发光轴向〔法向〕的夹角。半值角的2倍为视角〔或称半功率角〕。方向的角度越大，相对发光强度越小。由此图可以得到半值角或视角值。〔5〕正向工作电流If：它是指发光二极管正常发光时的正向电流值。在实际使用中应根据需要选择IF在0.6·IFm以下。〔6〕正向工作电压VF：参数表中给出的工作电压是在给定的正向电流下得到的。一般是在IF=20mA时测得的。发光二极管正向工作电压VF在1.4～3V。在外界温度升高时，VF将下降。〔7〕V-I特性：发光二极管的电压与电流的关系可用图4表示。在正向电压正小于某一值〔叫阈值〕时，电流极小，不发光。当电压超过某一值后，正向电流随电压迅速增加，发光。由V-I曲线可以得出发光管的正向电压，反向电流及反向电压等参数。正向的发光管反向漏电流IR<10μA以下。LED的电学指标1、LED的电流-电压特性图图1所示为LED工作的电流-电压〔I-V〕特性图。发光二极管具有与一般半导体三极管相似的输入伏安特性曲线。我们分别对图中所示的各段进行说明。图1LED工作的电流-电压特性图OA段：正向死区VA为开启LED发光的电压。红色〔黄色〕LED的开启电压一般为0.2~0.25V,绿色〔蓝色〕LED的开启电压一般为0.3~0.35V。AB段：工作区在这一区段，一般是随着电压增加电流也跟着增加，发光亮度也跟着增大。...
