晶体管的发明 美国三位博士发明晶体管 1947 年12 月23 日，美国科学家巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士，在导体电路中进行用半导体晶...
精品文档---下载后可任意编辑欧姆接触的讨论和 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管的制作的开题报告欧姆接触的讨论和 AlGaN/GaN 高电子迁移...
精品文档---下载后可任意编辑GaN 高电子迁移率晶体管特性及其功率放大器讨论的开题报告一、讨论背景随着现代电子技术的不断进展，功率放大...
精品文档---下载后可任意编辑AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)器件与微波单片电路讨论的开题报告一、讨论内容及意义AlGaN/GaN 高电子...
精品文档---下载后可任意编辑AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管特性讨论的开题报告一、讨论背景AlGaN/GaN 异质结场效应晶体管（High Electro...
精品文档---下载后可任意编辑GaN 基高电子迁移率晶体管退化及恢复特性讨论的开题报告一、讨论背景和意义：GaN 基高电子迁移率晶体管是一...
精品文档---下载后可任意编辑AlGaN/GaN 场效应晶体管的 TCAD 讨论的开题报告一、讨论背景和意义随着半导体器件要求功率密度、速度等性能...
精品文档---下载后可任意编辑5GHz 硅双极晶体管的研制的开题报告【摘要】本文针对 5GHz 硅双极晶体管的研制展开讨论，首先分析了进展趋...
精品文档---下载后可任意编辑4H-SiC 双外延基区双极晶体管模型与实验讨论的开题报告题目: 4H-SiC 双外延基区双极晶体管模型与实验讨论一...
精品文档---下载后可任意编辑4H-SiC 隧道双极晶体管的模拟讨论的开题报告标题： 4H-SiC 隧道双极晶体管的模拟讨论背景：隧道双极晶体管...
精品文档---下载后可任意编辑4H-SiC 金属-半导体双极晶体管的模拟讨论的开题报告一、讨论背景及意义近年来，4H-SiC (4H 型碳化硅)材料因...
精品文档---下载后可任意编辑4H-SiC 缓变掺杂基区双极晶体管讨论的开题报告1. 讨论背景与意义随着半导体器件技术的不断进展，4H-SiC 半...
精品文档---下载后可任意编辑4H-SiC 光电晶体管的特性讨论的开题报告1.讨论背景和意义当前，随着信息和通信技术的快速进展，高性能、高功...
精品文档---下载后可任意编辑4H-SiC npn 双极晶体管特性讨论的开题报告一、讨论背景和意义碳化硅（SiC）是一种具有很高熔点、很高热导率...
精品文档---下载后可任意编辑3.1～3.4GHz-45W 硅微波脉冲功率晶体管的研制的开题报告一、选题背景与意义随着卫星通信、雷达探测等领域的进...
精品文档---下载后可任意编辑3.1～3.4GHz 45W S 波段硅微波脉冲功率晶体管研制的开题报告一、讨论背景和意义微波功率晶体管是微波射频器...
使用数字万用表测量晶体管 发布时间:2011-12-14 13:45:05 访问次数:115 使用数字电表是一种快速又简便的方法，可测试晶体管结面是否开...
1 世界晶体管参数大全之其他系列 型号 材料 最高电压 最大电流 最大功率 频率 沟道电阻 MAT02FH 2 x SI-NPN 40 V 20 mA 0...
上海广电NEC第6代薄膜晶体管液晶显示器件(TFTLCD)项目环境
一款为书架箱设计的“胆味”晶体管功放 2010-06-30 14:25:38 来源:《无线电》杂志 作者:魏涛 【大 中 小】 浏览:587次 评论:0条 ...
