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1200V碳化硅功率二极管设计
I摘要碳化硅材料作为第三代宽带隙半导体材料,具有高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速率等特点,在高温、高频、大功率、抗辐射等...
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1200V槽栅IGBT抗动态雪崩设计的仿真研究的开题报告
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