微电子工艺面试问答VIP免费

EPI 外延PR 光刻CMP 化学机械抛光DIF 扩散ETCH 刻蚀CVD 化学气象沉积litho就是光刻D—— drain 漏极 S—— source 源极 G—— gate 栅极YE——良率（提升）工程师PIE——工艺整合工程师CMP—— chemical mechanical polish 化学机械抛光PCM—— process control monitor 工程控制监测WAT—— wafer acceptance testing 芯片电性（验收）测试IC—— integrated circuit 集成电路CMOS—— complementary metal oxide semiconductor 互补金属氧化物半导体MOS FET—— Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor 金氧半场效晶体管N型—— negative typeP型—— positive typeVT——阈值电压， 通常将传输特性曲线中输出电压随输入电压改变而急剧变化转折区的终点对应的输入电压称为阈值电压. 也称为开启电压。当器件由耗尽向反型转变时，要经历一个Si 表面电子浓度等于空穴浓度的状态。此时器件处于临界导通状态，器件的栅电压定义为阈值电压，它是MOSFET的重要参数之一VDS ——最大漏 - 源电压VGS ——最大栅源电压ID——连续漏电流IDM ——脉冲漏极电流PD ——容许沟道总功耗VB——反向峰值击穿电压RC——电容电阻1.PN 结、 MOS管这种简单器件原理特性曲线了解一下？—— PN结加正向电压（外电场和内电场相反）时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻，PN结导通；PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN 结截止。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。硅 0.7V 锗 0.3V 。——2.wafer ？硅片的流程？3.NMOS管加啥电流是read 的状态？4. 二极管 V-A 特性曲线？5. 怎么测 VT？—— drain加工作电压 source接地，测 Ids 好像到一个值了就是VT。MOS的阈值电压是一个范围值的。一般情况下与耐压有关，例如几十V 的耐压一般为1-2V,200v 以内的一般为2-4V， 200V以上的一般为3-5V 。当然还要考虑温度的影响，随着温度升高阈值电压会降低。这个还要与具体的工作状态相关。所以你在使用MOS管的时候，一定要看该型号 MOS的 DATASHEET，才能用好。6.gate下厚度与 VT关系？——栅氧厚度的减少，阈值电压减小，漏电流增大7.MOS管啥用？——用于放大电路或开关电路。提供一个稳定的电压。8.NMOS是长在 N型区还是 P型区？—— P衬底上