电阻模型参数 R 电阻倍率因子 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 电容模型参数 C 电容倍率因子 VC1 线性电压系数 VC2 二次电压系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 电感模型参数 L 电感倍率因子 IL1 线性电流系数 IL2 二次电流系数 TC1 线性温度系数 TC2 二次温度系数 二极管模型参数 IS 饱和电流 RS 寄生串联电阻 N 发射系数 TT 渡越时间 CJO 零偏压PN 结电容 VJ PN 结自建电势 M PN 结剃度因子 EG 禁带宽度 XT1 IS 的温度指数 FC 正偏耗尽层电容系数 BV 反向击穿电压（漆点电压） IBV 反向击穿电流（漆点电流） KF 闪烁躁声系数 AF 闪烁躁声指数 双极晶体管（三极管） IS 传输饱和电流 EG 禁带宽度 XTI（PT） IS 的温度效应指数 BF 正向电流放大系数 NF 正向电流发射系数 VAF（VA） 正向欧拉电压 IKF （IK） 正向漆点电流 ISE（C2） B-E 漏饱和电流 NE B-E 漏饱和电流 BR 反向电流放大系数 NR 反向电流发射系数 VAR（VB） 正想欧拉电压 IKR 反向漆点电流 ISC C4 B-C 漏饱和电流 NC B-C 漏发射系数 RB 零偏压基极电阻 IRB 基极电阻降致RBM/2 时的电流 RE 发射区串联电阻 RC 集电极电阻 CJE 零偏发射结 PN 结电容 VJE PE 发射结内建电势 MJE ME 集电结剃度因子 CJC 零偏衬底结 PN 结电容 VJC PC 集电结内建电势 MJC MC 集电结剃度因子 XCJC Cbe 接至内部 Rb 的内部 CJS CCS 零偏衬底结 PN 结电容 VJS PS 衬底结构 PN 结电容 MJS MS 衬底结剃度因子 FC 正偏势垒电容系数 TF 正向渡越时间 XTF TF 随偏置变化的系数 VTF TF 随 VBC 变化的电压参数 ITF 影响 TF 的大电流参数 PTF 在 F=1/（2 派 TF）Hz 时超前相移 TR 反向渡越时间 XTB BF 和BR 的温度系数 KF I/F 躁声系数 AF I/F 躁声指数 Is=14.34f 反向饱和电流。 Xti=3 饱和电流的温度指数 Eg=1.11 硅的带隙能量 Vaf=74.03 正向欧拉电压 Bf=255.9 正向电流放大系数 Ne=1.307 B--E 极间的泄漏饱和发射系数 + Ise=14.34f B--E 极间的泄漏饱和电流 Ikf=.2847 正向BETA 大电流时的滑动拐点 Xtb=1.5 电流放大系数的温度系数 Br=6.092 理想反向电流放大系数 Nc=2 B--C 间的泄漏发射系数 Isc=0 Ikr=0 反向BETA（R）大电流时的滑动拐点 Rc=1 集电极电阻 + Cjc=7.306p B-E...
