第二第二章章习题解答习题解答电子工程系王彩琳电子工程系王彩琳22
1某数字某数字ICIC的埋层采用锑箱法扩散,温度为的埋层采用锑箱法扩散,温度为12001200℃℃,,扩散时间为扩散时间为2h2h,,(1)P(1)P型硅衬底的电阻率为型硅衬底的电阻率为88·cm·cm,求,求nn++埋层的厚度;埋层的厚度;(2)(2)忽略衬底掺杂的补偿作用,求忽略衬底掺杂的补偿作用,求n+n+埋层埋层的平均杂质浓度和方块电阻的平均杂质浓度和方块电阻
解解::由于锑箱法扩散属于由于锑箱法扩散属于恒定表面源扩散恒定表面源扩散,因此它遵循,因此它遵循余误余误差分布差分布
根据题意根据题意,p-Si,p-Si衬底的衬底的为为88·cm,·cm,查图查图ρρ~C~CBB知,当知,当ρρ=8=8Ω·cm·cm时时,,CCBB=1
6××10101515cmcm-3-3;;查图查图DD~T~T可知可知,,当扩散当扩散T=1200T=1200℃℃,,SbSb的的D=3D=3××1010-13-13cmcm22/s/s;;查图查图CCSOlSOl~T~T可知可知,,当扩散当扩散T=1200T=1200℃℃,,CCSOlSOl=6=6××10101919cmcm-3-3p-Sip-Sin+-Sin+-Sipp--EPIEPInnbbppee锑扩散锑扩散25252255ρρ~C~CBB的关系曲线的关系曲线杂质硅中的固溶度杂质硅中的固溶度杂质在杂质在硅中的扩散系数硅中的扩散系数lnD~1/TlnD~1/T的关系的关系94
5)C(297
2)C(1067
2C)C(2B1B15BB1SSSSCerfcACerfcCCerfcA所以,查出时,计算:当也可用公式415191075
6BSOLBSCCCC因为A1A1A2A2AA值与值与CC