一、填空题 1
半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（电离杂质散射）和（晶格振动散射）
纯净半导体 Si 中掺 V 族元素的杂质，当杂质电离时释放（电子）
这种杂质称（施主）杂质；相应的半导体称（N）型半导体
当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（扩散）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（漂移）运动
nopo=ni2 标志着半导体处于（热平衡）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积 nopo改变否
（不改变）；当温度变化时，nopo 改变否
硅的导带极小值位于布里渊区的（方向上），根据晶体对称性共有（6）个等价能谷
n 型硅掺 As 后，费米能级向（Ec 或上）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（Ei 或下）移动
半导体中的陷阱中心使其中光电导灵敏度（增加），并使其光电导衰减规律（衰减时间延长）
若用氮取代磷化镓中的部分磷，结果是（禁带宽度 Eg 增大）；若用砷的话，结果是（禁带宽度 Eg 减小）
已知硅的 Eg 为1
12 eV，则本征吸收的波长限为（1
11 微米）；Ge 的 Eg 为0
67 eV，则本征吸收的波长限为（1
85 微米）
复合中心的作用是（促进电子和空穴复合），起有效复合中心的杂质能级必须位于（Ei或禁带中心线），而对电子和空穴的俘获系数rn 或 rp 必须满足（rn=rp） 11
有效陷阱中心位置靠近（EF 或费米能级） 12
计算半导体中载流子浓度时，不能使用波尔兹曼统计代替费米统计的判定条件是（Ec-EF≤2koT 以及EF-EV≤2koT），这种半导体被称为（简并半导体）
PN 结电容可分为（扩散电容）和（势垒电容）两种
纯净半导体 Si 中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时在 Si 晶体的共价键中产
