Mosfet 参数含义说明 Vds：DS 击穿电压. 当Vgs=0V 时，MOS 的DS 所能承受的最大电压.一般此电压有一定的余量. Rds(on)：DS 的导致电阻. 当Vgs=10V 时，MOS 的DS 之间的电阻. Id：最大DS 电流. 会随温度的升高而降低. Absolute Maximum Ratings： Vds:见Features. Vgs:最大GS 电压.一般为：-20V~+20V（要注意可能是负的，针对不同形式的MOSFET） Id:见Features. Idm:最大脉冲 DS 电流.会随温度的升高而降低,体现一个抗冲击能力，跟脉冲时间也有关系. Pd:最大耗散功率. Tj:最大工作结温.通常为150 度和 175 度. Tstg:最大存储温度. Iar:雪崩电流. Ear:重复雪崩击穿能量. Eas:单次脉冲雪崩击穿能量. Electrical Characteristics: BVdss：DS 击穿电压. Idss:饱和DS 电流.uA 级的电流. Rds(on):见Features. Igss:GS 驱动电流.nA 级的电流. gfs:跨导. Qg:G 总充电电量. Qgs:GS 充电电量. Qgd:GD 充电电量.Miller Effect. Td(on):导通延迟时间.从有输入电压上升到10%开始到Vds 下降到其幅值90%的时间.Tr:上升时间。输出电 压 VDS 从 90% 下降到其幅值 10% 的时间。 Td(off):关断延迟时间。输入电压下降到 90% 开始到 VDS 上升到其关断电压时 10% 的时间。 Tf:下降时间。输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 90% 的时间 ( 参考图 4) 。 Ciss:输入电容.Ciss=Cgd + Cgs. Coss:输出电容.Coss=Cds +Cgd. Crss:反向传输电容.Crss=Cgc. Cds---漏-源电容 Cdu---漏-衬底电容 Cgd---栅-源电容 Cgs---漏-源电容 Ciss---栅短路共源输入电容 Coss---栅短路共源输出电容 Crss---栅短路共源反向传输电容 D---占空比（占空系数，外电路参数） di/dt---电流上升率（外电路参数） dv/dt---电压上升率（外电路参数） ID---漏极电流（直流） IDM---漏极脉冲电流 ID(on)---通态漏极电流 IDQ---静态漏极电流（射频功率管） IDS---漏源电流 IDSM---最大漏源电流 IDSS---栅-源短路时，漏极电流 IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流） IG---栅极电流（直流） IGF---正向栅电流 IGR---反向栅电流 IGDO---源极开路时，截止栅电流 IGSO---漏极开路时，截止栅电流 IGM---栅极脉冲电流 IGP---栅极峰值电流 IF---二极管正向电流 IGSS---漏极短路时截止栅电流 IDSS1---对管第一管漏源饱和电流 IDSS2---对管第二管漏源饱和电流 Iu---衬底电流 Ipr---电流脉冲峰值...
