材料Ｘ射线光电子能谱数据处理及分峰的分析实例 例：将剂量为1107ions/cm2，能量为45KeV 的碳离子注入单晶硅中，然后在1100C退火2h 进行热处理。对单晶硅试样进行XPS 测试，试对其中的C1s高分辨扫瞄谱进行解析，以确定各种可能存在的官能团。 分析过程： 1、在Origin 中处理数据 图 1 将实验数据用记事本打开，其中C1s表示的是C1s电子，299.4885 表示起始结合能，-0.2500 表示结合能递减步长，81 表示数据个数。从 15842 开始表示是光电子强度。从 15842 以下数据选中Copy 到 Excel 软件 B 列中，为光电子强度数据列。同时将299.4885Copy 到 Excel 软件 A 列中，并按照步长及个数生成结合能数据，见图 2 图 2 将生成的数据导入 Origin 软件中，见图 3。 图3 此时以结合能作为横坐标，光电子强度作为纵坐标，绘出C1s谱图，检查谱图是否有尖峰，如果有，那是脉冲，应把它们去掉，方法为点Origin 软件中的Data-Move Data Points，然后按键盘上的或箭头去除脉冲。本例中的实验数据没有脉冲，无需进行此项工作。将 column A 和 B 中的值复制到一空的记事本文档中（即成两列的格式，左边为结合能，右边为峰强），并存盘，见图4。 图4 2、打开 XPS Peak，引入数据：点 Data----Import (ASCII)，引入所存数据，则出现相应的 XPS 谱图，见图5、图6。 3、选择本底：点 Background，因软件问题， High BE 和 Low BE 的位置最好不改，否则无法再回到 Origin，此时本底将连接这两点，Type 可据实际情况选择，一般选择 Shirley 类型，见图 7。 图7 4、加峰： 点 Add peak，出现小框，在 Peak Type 处选择 s、p、d、f 等峰类型（一般选 s），在 Position 处选择希望的峰位，需固定时则点 fix 前小方框，同法还可选半峰宽（FWHM）、峰面积等。各项中的 constraints 可用来固定此峰与另一峰的关系。点 Delete peak 可去掉此峰。然后再点 Add peak 选第二个峰，如此重复。 在选择初始峰位时，如果有前人做过相似的实验，可以查到相应价键对应的峰位最好。但是如果这种实验方法比较新， 前人没有做过相似的，就先用标准的峰位为初始值。最优化所有的峰位，然后看峰位位置的变化。 本例中加了三个峰， C 元素注入单晶硅后可能形成 C-C、C-Si 和 C-H 三个价键。根据这三个价键对应的结合能确定其初始峰位， 然后添加。具体过程见图8、9、10。 图 8 图 9 ...
