1 前言 下图是典型的ASM 架构[1]，内部包含了Decoder，Switch，Tx的LPF，以及Rx的SAW。 而下表是常见ASM 挑选指标，接下来便一一介绍这些指标意义。 Insertion Loss 越小越好 Isolation 越大越好 2nd /3rd Harmonic 越小越好 IIP2/IIP3 越大越好 P1dB 越大越好 IMD2/IMD3 越小越好 ESD Rejection 越大越好 2 Insertion Loss 以Rx的观点而言， LNA 前的Noise Figure最为重要[6]，对Sensitivity影响最大，因此Insertion Loss越小越好。 而以Tx观点，Insertion Loss越小，越能提升PA 的PAE，降低耗电流[2]。 P1dB 由[4]得知，P1dB 衡量的是ASM 的最大功率承受能力，也可说是线性度。以GSM 850/EGSM 900为例，PCL = 5时，Power 大概为32.5 dBm。然而实际上在做Calibration时，会一并测量PA 之最大发射功率，衡量硬件极限，多半是34 dBm ~ 34.5 dBm，因此ASM 的P1dB，最好能有 40 dBm，才能保有最佳线性度。 3 Isolation 以现今的智能手机而言，涵盖越来越多RF 功能，包含GSM, WCDMA, LTE… …等，因此集结各RF 功能Tx/Rx 路径的ASM，其isolation 好坏，对于 Rx 的性能，有着明显影响[2]。 4 由上图可知，PCS 的Tx频率范围，会跟DCS 的Rx频率范围，有部分重迭，若ASM 的Isolation 不够好，则DCS 的Sensitivity会受PCS 的Tx影响。 而由[3]得知，Insertion Loss与Isolation 的计算公式一样，只是一个为 On-State，一个为 Off-State。 On-State 时，理想上是完全短路，毫无 Loss，但实际上不可能，因此以 Insertion Loss 衡量导通时，Power 损失多少。 Off-State 时，理想上是完全开路，Loss 无限大，但实际上不可能，因此以 Isolation衡量断电时，Power 泄漏多少。 5 ESD Rejection ESD 的防护，也是ASM 的性能指针之一。原因是以手机而言，静电会沿着外壳缝隙，转为直流讯号，寻找金属路径，若直流讯号流到天线，则可能会沿着弹片，一路流到 Transceiver，因此 ASM 对于 ESD 的把关非常重要，否则若直流讯号灌入 PA 或 Transceiver 组件，轻则影响 RF 性能，重则零件损坏。 而有些 ASM 会有建议的外挂 ESD 保护电路[8]，型式皆为串联电容与并联电感。串联电容为D C B l o c k，并联电感则是将直流讯号 bypass到 GND。 而有些甚至已经直接内建在 ASM 里，不需额外的ESD 保护电路，省去成本与空间。 6 IIP2/IIP3 & IMD2/...
