硅太阳能电池 - 制造工艺PV的意思：它是英文单词Photovoltaic 的 简写，中文意思是 光生伏特”（简称光伏”）。在物理学中，光生伏特效应（简称为光伏效应），是指光照使不均匀半导体或半导体与金属组合的不同部位之间产生电位差的现象硅太阳能电池制造工艺流程图1、硅片切割，材料准备 :工业制作硅电池所用的单晶硅材料，一般采 用坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10? 15cm ，厚度约200~350um ，电阻率约 1 Q .cm 的 p 型（掺硼）。2 、去除损伤层：硅片在切割过程会产生大量的表面缺陷，这就会产生两个问题，首先表面的质量较差，另外 这些表面缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采用碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约 10um 。3 、制绒：制绒，就是把相对光滑的原材料硅片的表面 通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不平，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片表面的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采用NaOH 加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在表面形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80 度，浓 度约 1~2% ，腐蚀时间约15 分钟。对于多晶来说，一般采用酸法腐蚀。4 、扩散制结：扩散的目的在于形成PN 结。普遍采用磷做n 型掺杂。 由于固态扩散需要很高的温度，因此 在扩散前硅片表面的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片表面的碱残留和金属杂质。5、 边缘刻蚀、清洗：扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。目前，工业化生产用等离子干法腐蚀， 在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩 散层的周边。扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。6、 沉积减反射层：沉积减反射层的目的在于减少表面反射，增加折射率。广泛使用 PECVD淀积 SiN , 由于 PECVD淀积 SiN 时，不光是生长 SiN 作为减反射膜 ，同时生成了大量的原子氢 ，这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用，可用于大批量生产。7、 丝网印刷上下电极：电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步骤，它不仅决定了发射区的结构，而且也决定了电池的串联电阻和电池表面被金属覆盖的面积。，最早采用真空蒸镀或化学电镀技术，...
