1 第 1 页共 6 页、选择题。1. 电离后向半导体提供空穴的杂质是（）,电离后向半导体提供电子的杂质是（）。A.受主杂质 B。施主杂质 C.中性杂质2. 在室温下，半导体 Si 中掺入浓度为 10i4cm-3的磷杂质后，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（）,费米能级的位置（）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为 1.1X1015cm-3的硼杂质，半导体中多数载流子是（），多子浓度为（），费米能级的位置（）；如果,此时温度从室温升高至 550K，则杂质半导体费米能级的位置（）。（已知：室温下，n=1010cm-3；i3.550K 时，n 二 1017cm-3）i电子和空穴A.D。G。1014cm-3高于 EiB.空穴E.1015cm-3H。低于 EiC.电子F.1.1X1015cm-3I.等于 Ei在室温下，对于 n 型硅材料，如果掺杂浓度增加，将导致禁带宽），电子浓度和空穴浓度的乘积 np（）n2，功函数00i）。如果有光注入的情况下,电子浓度和空穴浓度的乘积npA.）n2。i增加 B。不变C.减小D.等于 E.不等于F.不确定系别'.班次.学号.姓名……密………封………线………以………内………答………题………无………效2 第 3 页共 6 页系别'.班次.学号.姓名……密………封………线………以………内………答………题………无………效2 第 3 页共 6 页系别'.班次.学号.姓名……密………封………线………以………内………答………题………无………效2 第 4 页共 6 页系别'.班次.学号.姓名……密………封………线………以………内………答………题………无………效2 第 6 页共 6 页100％，如果温度大于热力学温度零度时，能量比 E 小的量子态F被电子占据的概率为小于 50％.（）5. 费米分布函数适用于简并的电子系统,波耳兹曼分布函数适用于非简并的电子系统。（）6. 将 Si 掺杂入 GaAs 中，Si 取代 Ga 则起施主杂质作用，若 Si 取代………密………封………线………以………内………答………题………无………效……As 则起受主杂质作用。（）7. 无论本征半导体还是杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数,由温度和禁带宽度决定。（）8. 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平衡载流子的寿命为 T。若光照忽然停止，经过 T 时间后，非平衡载流子全部消失.（）9. 在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后,由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。（）10. 金属和半导...
