目录一、填空题（每空1 分，共 24 分） ................................................................................................................................................................. 1二、判断题（每小题1.5 分，共 9 分） ............................................................................................................................................................ 1三、简答题（每小题4 分，共 28 分） ............................................................................................................................................................. 2四、计算题（每小题5 分，共 10 分） ............................................................................................................................................................. 4五、综合题（共9 分） ....................................................................................................................................................................................... 5一、填空题（每空1 分，共 24 分）1.制作电阻分压器共需要三次光刻，分别是电阻薄膜层光刻、高层绝缘层光刻和互连金属层光刻。2.集成电路制作工艺大体上可以分成三类，包括图形转化技术、薄膜制备技术、掺杂技术。3.晶体中的缺陷包括点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷等四种。4.高纯硅制备过程为氧化硅→粗硅→ 低纯四氯化硅→ 高纯四氯化硅→ 高纯硅。5.直拉法单晶生长过程包括下种、 收颈、放肩、等径生长、 收尾等步骤。6.提拉出合格的单晶硅棒后，还要经过切片、研磨、抛光等工序过程方可制备出符合集成电路制造要求的硅衬底片。7.常规的硅材料抛光方式有：机械抛光，化学抛光，机械化学抛光等。8.热氧化制备 SiO2的方法可分为四种，包括干氧氧化 、水蒸汽氧化、湿氧氧化、氢氧合成氧化。9.硅平面工艺中高温氧化生成的非本征无定性二氧化硅对硼、磷、砷（As）、锑（ Sb）等元素具有掩蔽作用。10.在SiO2内和 Si- SiO 2界面存在有可动离子电荷 、氧化层固定电荷、界面陷阱电荷、氧化层陷阱等电荷。11.制备 SiO2的方法有溅射法 、 真空蒸发法、阳极氧化法、 热氧化法、热分解淀积法等。12.常规平面工艺扩散工序中的恒定表面源扩散过程中，杂...
