FLASH 测试 1．引言 随着当前移动存储技术的快速发展和移动存储市场的高速扩大，FLASH 型存储器的用量迅速增长
FLASH 芯片由于其便携、可靠、成本低等优点，在移动产品中非常适用
市场的需求催生了一大批 FLASH 芯片研发、生产、应用企业
为保证芯片长期可靠的工作，这些企业需要在产品出厂前对 FLASH 存储器进行高速和细致地测试，因此，高效 FLASH 存储器测试算法的研究就显得十分必要
不论哪种类型存储器的测试，都不是一个十分简单的问题，不能只将存储器内部每个存储单元依次测试一遍就得出结论，这是因为每一个存储单元的改变都有可能影响存储器内部其他单元的变化（这种情况又是常常发生的）
这种相关性产生了巨大的测试工作量［1］
另外，FLASH 存储器有其自身的特点，它只能将存储单元内的数据从“1”写为“0”，而不能从“0”写为“1”，若想实现“0”－>“1”操作，只能把整个扇区或 整个存储器的数据擦 除 ，而擦 除操作要花 费 大量的时 间
FLASH 存储器还 有其他特性，比 如 读 写速度 慢 、写数据之 前要先写入 状 态 字 、很 多 FLASH 只适于顺 序 读 写而不适于跳 转 操作等，这些特点都制 约 了 FLASH存储器的测试
为解 决 FLASH 测试中的这些问题，人 们 提 出了应用内建 自测试［2］或 利 用嵌 入 式 软 件［3］等测试方 法测试相关性能，都取 得了比 较 好 的效果 ，但 这些方 法大多 不适用于利 用测试仪 进行批量的产品测试
而多 数对通 用存储器测试很 有效的算法，由于受 到FLASH 器件自身的限 制 （如 不能不能直 接 从“0”写为“1”），很 难 直 接 适用于FLASH 测试
文 本在简单介 绍 FLASH 芯片的结构 与 特点之 后 ，说 明 了 FLASH 存储器测试程 序 原 理
