何谓 DUV ？ 答：曝光过程中用到的光，其波长为248nm，其波长较短，因此曝光完成后的图形分辨率较好，用于较为重要的制程中。 I-line与DUV主要不同处为何? 答：光源不同，波长不同，因此应用的场合也不同。I-Line主要用在较落后的制程（0.35 微米以上）或者较先进制程（0.35 微米以下）的Non-Critical lay er。DUV则用在先进制程的Critical lay er上。 何为Ex posu re Field? 答：曝光区域，一次曝光所能覆盖的区域 何谓 Stepper? 其功能为何? 答：一种曝光机，其曝光动作为Step by step形式,一次曝整個ex posu re field,一個一個曝過去 何谓 Scanner? 其功能为何? 答：一种曝光机，其曝光动作为Scanning and step形式, 在一個ex posu re field曝光時, 先Scan完整個field, Scan完後再移到下一個field. 何为象差？ 答：代表透镜成象的能力,越小越好. Scanner比Stepper优点为何？ 答：Ex posu re Field大，象差较小 曝光最重要的两个参数是什幺？ 答：Energy (曝光量), Focu s( 焦距)。如果能量和焦距调整的不好，就不能得到要求的分辨率和要求大小的图形，主要表现在图形的CD值超出要求的范围。因此要求在生产时要时刻维持最佳的能量和焦距，这两个参数对于不同的产品会有不同。 何为Reticle? 答：Reticle也称为Mask，翻译做光掩模板或者光罩，曝光过程中的原始图形的载体，通过曝光过程，这些图形的信息将被传递到芯片上。 何为Pellicle? 答：Pellicle是Reticle上为了防止灰塵(du st)或者微塵粒子(Particle)落在光罩的图形面上的一层保护膜。 何为OPC光罩？ 答：OPC (Optical Prox imity Correction)为了增加曝光图案的真实性，做了一些修正的光罩，例如，0.18 微米以下的Poly , Metal lay er就是OPC光罩。 何为PSM光罩？ 答：PSM (Phase Shift Mask)不同于Cr mask, 利用相位干涉原理成象，目前大都应用在contact lay er以及较小CD的Critical lay er（如AA，POLY，METAL1）以增加图形的分辨率。 何為CR Mask？ 答：傳統的鉻膜光罩,只是利用光訊 0 與 1 干涉成像,主要應用在較不Critical 的lay er 光罩编号各位代码都代表什幺？ 答：例如 003700-156AA-1DA, 0037 代表产品号，00 代表Special code,156 代表lay er,A代表客户版本，后一个A代表SMIC版本，1 代表FAB1，D代表DUV(如果是J,则代表I-line),A代表ASML机台（如果是C，则代表Canon机台） ...
