光电检测试验报告 专 业：应用物理学 姓 名：叶 长 军 学 号：10801030125 指导教师：王 颖 实验时间：2011.4 重庆理工大学光电信息学院 实验一 光敏电阻特性实验 实验原理: 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器叫光敏电阻。光敏电阻采用梳状结构是由于在间距很近的电阻之间有可能采用大的灵敏面积,提高灵敏度。 内光电效应发生时，光敏电阻电导率的改变量为： pnp en e ，e为电荷电量，p 为空穴浓度的改变量，n 为电子浓度的改变量， 表示迁移率。当两端加上电压U后，光电流为：phAIUd 式中A为与电流垂直的表面，d为电极间的间距。在一定的光照度下， 为恒定的值，因而光电流和电压成线性关系。 光敏电阻的伏安特性如图1-2所示，不同的光照度可以得到不同的伏安特性，表明电阻值随光照度发生变化。光照度不变的情况下，电压越高，光电流也越大，光敏电阻的工作电压和电流都不能超过规定的最高额定值。 图1-2光敏电阻的伏安特性曲线 图1-3 光敏电阻的光照特性曲线 实验仪器: 稳压电源、光敏电阻、负载电阻（选配单元）、电压表、各种光源、遮光罩、激光器、光照度计（做光照特性测试，由用户自备或选配） 实验步骤: 1. 测试光敏电阻的暗电阻、亮电阻、光电阻 观察光敏电阻的结构,用遮光罩将光敏电阻完全掩盖,用万用表欧姆档测得的电阻值为暗电阻R 暗,移开遮光罩，在环境光照下测得的光敏电阻的阻值为亮电阻R 亮，暗电阻与亮电阻之差为光电阻，光电阻越大，则灵敏度越高。 在光电器件模板的试件插座上接入另一光敏电阻，试作性能比较分析。 2. 光敏电阻的暗电流、亮电流、光电流 按照图1-5 接线，分别在暗光及有光源照射下测出输出电压暗和U 亮，电流L 暗=U 暗/R,亮电流L 亮=U 亮/R，亮电流与暗电流之差称为光电流，光电流越大则灵敏度越高。 3. 光敏电阻的伏安特性测试 按照上图接线，电源可从直流稳压电源+2~+12V 间选用， 每次在一定的光照条件下，测出当加在光敏电阻上电压 为+2V；+4V；+6V；+8V；+10V；+12V时电阻R两端的电压UR， 和电流数据，同时算出此时光敏电阻的阻值，并填入以下表格，根据实验数据画出光敏电阻的伏安特性曲线。 光敏电阻伏安特性测试数据表（暗光） 工作电压 2 4 6 8 10 Ur v 0.67 3 5 7 9 电阻 KΩ ∞ ∞ ∞ ∞ ∞ 电流 μ A 0 0 0 0 0 光敏电阻伏安特性...
