精品文档---下载后可任意编辑AlGaN/GaN HEMT 肖特基接触技术讨论的开题报告一、选题背景AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管是一种新型的高功率、高频率半导体器件。肖特基接触在 AlGaN/GaN HEMT 中起关键作用。然而，由于AlGaN/GaN 材料的高反演异质结构和表面态密度高等特点，肖特基接触技术的讨论仍存在许多问题和挑战。二、讨论目的本讨论旨在探究 AlGaN/GaN HEMT 中肖特基接触的物理机制和影响因素，并通过实验讨论优化肖特基接触技术，提高器件性能和稳定性。三、讨论内容和步骤1.对 AlGaN/GaN 材料的特性进行分析，包括能带结构、表面态密度以及界面特点等。2.理论分析肖特基接触的形成机制和影响因素，如金属种类、工艺参数等。3.借助实验测试平台，通过调整工艺参数制备肖特基接触样品，测量其 I-V 特性和 Schottky 接触性质。4.对实验数据进行分析和处理，得出肖特基接触的优化参数和影响因素。5.通过改善肖特基接触技术，制备出性能更为优异的 AlGaN/GaN HEMT 器件。四、讨论意义1.深化了解 AlGaN/GaN 材料的特性及其肖特基接触机制，对于提高 AlGaN/GaN HEMT 器件性能具有重要意义。2.通过探究 AlGaN/GaN HEMT 器件中肖特基接触的优化技术，可以提高其性能和稳定性，为其实际应用提供技术支持。3.讨论结果可为未来高功率、高频率半导体器件的讨论提供参考，并为国内相关领域的进展提供技术支持。五、预期成果1.对 AlGaN/GaN HEMT 中肖特基接触形成机理和影响因素进行系统分析，为肖特基接触技术的讨论提供参考。精品文档---下载后可任意编辑2.实验优化肖特基接触技术，制备出性能更为优异的 AlGaN/GaN HEMT 器件，并测量其电学性质、功率特性等。3.确定优化参数及影响因素，为未来相关讨论提供参考和借鉴。六、讨论进度安排第一年：完成 AlGaN/GaN 材料特性分析及肖特基接触形成机理的理论讨论。第二年：设计肖特基接触实验并测量其电学特性，并对实验数据进行分析和处理。第三年：优化肖特基接触工艺，制备出性能更为优异的 AlGaN/GaN HEMT 器件，并对其性能进行测试。七、参考文献[1] 王黎明, 谭雅婷, 郭文化. AlGaN/GaN HEMT 芯片中 Schottky接触形成机理讨论[J]. 半导体技术, 2024, 38(2):99-101.[2] Luo, X. X., Li, B. J., Yang, Y. T., et al. A novel AlGaN/GaN HEMT with Schottky/ohmic hybrid contact[J]. IEEE Electron Device Letters, 2024, 33(6): 829-831.[3] 李柏君, 刘少丽, 杨思妍,等. AlGaN/GaN 基 HIGFET 器件中金属/半导体(Schottky)接触的电学性能[J].电子器件, 2024, 36(2):69-74.
