精品文档---下载后可任意编辑GaN 基 LED 中有源区的极化场调控的开题报告一、背景介绍氮化镓（GaN）基 LED 已经成为了照明和半导体照明领域中关键的器件。然而，由于在 GaN 基 LED 中存在着极化场，导致了一些性能问题，例如量子效率和漏电流。因此，讨论如何调控 GaN 基 LED 中的极化场成为了当前该领域内的一个热点问题。二、讨论目标本项目的主要讨论目标是探究如何调控 GaN 基 LED 中的极化场，以提高其性能表现。具体讨论内容包括：1. 分析 GaN 基 LED 中的极化场特性和机制；2. 讨论如何通过调控层厚度和材料来调节极化场；3. 实验制备不同极化场的 GaN 基 LED，并系统性地讨论其性能表现；4. 分析实验结果，探究如何进一步优化 GaN 基 LED 中的极化场调控，提高器件的性能。三、讨论方法本项目将采纳以下方法：1. 系统性文献综述和分析，深化掌握 GaN 基 LED 中的极化场特性和机制；2. 通过建立数学模型和应用数值方法计算、分析 GaN 基 LED 中的极化场；3. 制备不同极化场的 GaN 基 LED，采纳光电特性测试仪、扫描探针显微镜等测试仪器系统性地讨论其性能表现；4. 基于实验结果，探究如何进一步优化 GaN 基 LED 中的极化场调控，提高器件的性能。四、讨论意义通过本次讨论，将有助于深化掌握 GaN 基 LED 中的极化场特性和机制，为后续优化 GaN 基 LED 性能提供理论基础。同时，本讨论成果也有望为照明和半导体照明领域内的器件设计和制备提供指导性意见和技术支撑。
