半导体元件厂商汇总

半导体元件厂商汇总与简介 MOSFET 的定义与分类。 MOSFET（Metal-Ox ide-Semicondu ctor Field Effect Transistor）在集成电路中叫做绝缘性场效应管。中文名为金属-氧化物-半导体场效应管。MOSFET 分为增强型(N 型)和耗尽型（P 型）。 MOSFET 的工作原理 MOSFET 的工作原理是在MOSFET G 极上外加电压，金属电极相对于P 型半导体的情况下，外加正电压，相对于N 型半导体外加负电压，在氧化膜下会产生空乏层（depletion lay er），若针对氧化膜下为P 型半导体的情况，如果再提高电压，就会累积电子，若是N 型半导体则会累计空穴，我们称此层为“反转层”（rev ersion lay er）。MOS 型场效应管就是利用这个层，作为一个切换开关。MOSFET 是电压控制器件。 肖特基二极管的定义 肖 特 基 二 极管是以 其 发 明 人 肖 特 基 博 士 （Schottky ）命 名的。SBD（Schottky BarrierDiode）即肖特基势垒二极管。 肖特基二极管的工作原理 肖特基二极管的工作原理是以贵金属（金、银、铝、铂等）A 为正极，以 N 型半导体B 为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N 型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B 中向浓度低的A 中扩散。显然，金属A 中没有空穴，也就不存在空穴自 A 向 B 的扩散运动。随着电子不断从 B 扩散到 A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。但在该电场作用之下，A 中的电子也会产生从 A→B 的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。下图为肖特基二极管的三种结构。 半导体厂商 国外： AOS：万代半导体公司 ST：意法半导体公司 FAIRCHILD：仙童半导体公司（飞兆半导体公司） VISHAY：威世集团 IR：国际整流器公司 APT：美国先进功率技术公司（己被 Microsemi 公司收购） ONSEMI：安森美半导体公司 Microsemi：美高森美公司 TI：德州仪器 Toshiba：东芝公司 IXYS：艾赛斯公司 RECTRON：美国伟创电子公司 Diodes：美台二极体股份有限公司 Infineon：英飞凌科技股份公司 NPX：恩智浦半导体公司 Nihon Inter：日本英达电子公司 台湾地区： WTE：台湾 Won-Top电子公司 MOSPEC：台湾统...