晶圆（Wafer） 晶圆（Wafer）的生产由砂即（二氧化硅）开始，经由电弧炉的提炼还原成 冶炼级的硅，再经由盐酸氯化，产生三氯化硅，经蒸馏纯化后，透过慢速分 解过程，制成棒状或粒状的「多晶硅」
一般晶圆制造厂，将多晶硅融解 后，再利用硅晶种慢慢拉出单晶硅晶棒
一支85 公分长，重76
6 公斤的8 吋 硅晶棒，约需2 天半时间长成
经研磨、拋光、切片后，即成半导体之原料 晶圆片
光学显影 光学显影是在光阻上经过曝光和显影的程序，把光罩上的图形转换到光阻 下面的薄膜层或硅晶上
光学显影主要包含了光阻涂布、烘烤、光罩对准、 曝光和显影等程序
小尺寸之显像分辨率，更在 IC 制程的进步上，扮演着 最关键的角色
由于光学上的需要，此段制程之照明采用偏黄色的可见光
因此俗称此区为 黄光区
干式蚀刻技术 在半导体的制程中，蚀刻被用来将某种材质自晶圆表面上移除
干式蚀刻（又称为电浆蚀刻）是目前最常用的蚀刻方式，其以气体作为主要的蚀刻媒介，并藉由电浆能量来驱动反应
电浆对蚀刻制程有物理性与化学性两方面的影响
首先，电浆会将蚀刻气体分子分解，产生能够快速蚀去材料的高活性分子
此外，电浆也会把这些化学成份离子化，使其带有电荷
晶圆系置于带负电的阴极之上，因此当带正电荷的离子被阴极吸引并加速向阴极方向前进时，会以垂直角度撞击到晶圆表面
芯片制造商即是运用此特性来获得绝佳的垂直蚀刻，而后者也是干式蚀刻的重要角色
基本上，随着所欲去除的材质与所使用的蚀刻化学物质之不同，蚀刻由下列两种模式单独或混会进行： 1
电浆内部所产生的活性反应离子与自由基在撞击晶圆表面后，将与某特定成份之表面材质起化学反应而使之气化
如此即可将表面材质移出晶圆表面，并透过抽气动作将其排出
电浆离子可因加速而具有足够的动能来扯断薄膜的化学键，进而将晶圆表面材质分子一个个的打击或溅击（spu ttering）
