1 半 导 体 制 造 工 艺 2 NPN 高频小功率晶体管制造的工艺流程为： 外延片——编批——清洗——水汽氧化——一次光刻——检查——清洗——干氧氧化——硼注入——清洗——UDO 淀积——清洗——硼再扩散——二次光刻——检查——单结测试——清洗——干氧氧化——磷注入——清洗——铝下 CVD——清洗——发射区再扩散——三次光刻——检查——双结测试——清洗——铝蒸发——四次光刻——检查——氢气合金——正向测试——清洗——铝上 CVD——检查——五次光刻——检查——氮气烘焙——检查——中测——中测检查——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查——综合检查——入中间库。 PNP 小功率晶体管制造的工艺流程为： 外延片——编批——擦片——前处理——一次氧化——QC 检查（tox ）——一次光刻——QC 检查——前处理——基区 CSD 涂覆——CSD 预淀积——后处理——QC 检查（R□）——前处理——基区氧化扩散——QC 检查（tox 、R□）——二次光刻——QC 检查——单结测试——前处理——POCl3 预淀积——后处理（P 液）——QC 检查——前处理——发射区氧化——QC 检查（tox ）——前处理——发射区再扩散（R□）——前处理——铝下 CVD——QC 检查（tox 、R□）——前处理——HCl 氧化——前处理——氢气处理——三次光刻——QC 检查——追扩散——双结测试——前处理——铝蒸发——QC 检查（tAl）——四次光刻——QC 检查——前处理——氮气合金——氮气烘焙——QC 检查（ts）——五次光刻——QC 检查——大片测试——中测——中测检查（——粘片——减薄——减薄后处理——检查——清洗——背面蒸发——贴膜——划片——检查——裂片——外观检查）——综合检查——入中间库。 GR 平面品种（小功率三极管）工艺流程为： 编批——擦片——前处理——一次氧化——QC 检查（tox ）——一次光刻——QC 检查——前处理——基区干氧氧化——QC 检查（tox ）——一 GR 光刻（不腐蚀）——GR 硼注入——湿法去胶——前处理——GR 基区扩散——QC 检查（Xj、R□）——硼注入——前处理——基区扩散与氧化——QC 检查（Xj、tox 、R□）——二次光刻——QC 检查——单结测试——前处理——发射区干氧氧化——QC 检查（tox ）——磷注入——前处理——发射区氧化和再扩散——前处理——POCl3 预淀积（R□）——后处理...
