半导体制造工艺设备及材料 半导体设备和材料处于产业链上游，是推动技术进步的关键环节。半导体设备和材料应用于集成电路（IC）、LED、MEMS、分立器件等领域，其中以 IC 领域的占比和技术难度最高。IC 制造分为前道、后道，以及中道制程，主要有氧化炉、PVD、CVD、光刻、涂胶显影、刻蚀、CMP、晶圆键合、离子注入、清洗、测试、减薄、划片、引线键合、电镀等设备，半导体材料主要包括衬底（硅片/蓝宝石/GaAs 等）、光刻胶、电子气体、溅射靶材、CMP 材料、掩膜版、电镀液、封装基板、引线框架、键合丝、塑封材料等。 1 半导体制造工艺流程及其需要的设备和材料 半导体产品的加工过程主要包括晶圆制造（前道，Front-End）和封装（后道，Back-End）测试，随着先进封装技术的渗透，出现介于晶圆制造和封装之间的加工环节，称为中道（Middle-End）。由于半导体产品的加工工序多，所以在制造过程中需要大量的半导体设备和材料。在这里，我们以最为复杂的晶圆制造（前道）和传统封装（后道）工艺为例，说明制造过程的所需要的设备和材料。 集成电路产业链 晶圆生产线可以分成7 个独立的生产区域：扩散（Thermal Process）、光刻（Photo- lithography）、刻蚀（Etch）、离子注入（Ion Implant）、薄膜生长（Dielectric Deposition）、抛光（CMP）、金属化（Metalization）。这 7 个主要的生产区和相关步骤以及测量等都是晶圆洁净厂房进行的。在这几个生产区都放置有若干种半导体设备，满足不同的需要。例如在光刻区，除了光刻机之外，还会有配套的涂胶/显影和测量设备。 先进封装技术及中道（Middle-End）技术 IC 晶圆制造流程图 IC 晶圆生产线的7 个主要生产区域及所需设备和材料 传统封装工艺流程 传统封装（后道）测试工艺可以大致分为背面减薄、晶圆切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋/成型和终测等 8 个主要步骤。与 IC 晶圆制造（前道）相比，后道封装相对简单，技术难度较低，对工艺环境、设备和材料的要求远低于晶圆制造。 传统封装的主要步骤及所需设备和材料 2 主要半导体设备及所用材料 1) 氧化炉 设备功能：为半导体材料进行氧化处理，提供要求的氧化氛围，实现半导体预期设计的氧化处理过程，是半导体加工过程的不可缺少的一个环节。 所用材料：硅片、氧气、惰性气体等。 国外主要厂商：英国 Thermco 公司、德国 Centrothermthermal Solutions GmbH Co.KG 公司等。 国内主要厂商：七星电...
