离子注入： 将 加 速 到 一 定 高 能 量 的 离 子 束 注 入 固 体 材 料 表 面 层 内 ，以 改 变 表 面 层 物 理 和化 学 性 质 的 工 艺 。在 半 导 体 中 注 入 相 应 的 杂 质 原 子（ 如 在 硅 中 注 入 硼 、磷 或 砷 等 ），可 改 变 其 表 面 电 导 率 或 形 成 PN结 。 离 子 注 入 掺 杂 的 优 点 是 : ①离 子 注 入 可 通过调节注 入 离 子 的 能 量 和 数量 ， 精确控制掺 杂 的 深度和 浓度。 特别是 ， 当需要浅 PN结 和 特殊形 状的 杂 质 浓度分布时， 离 子 注 入 掺 杂 可 保证其 精确度和 重复性 。 ②离 子 注 入 的 杂 质 分布准直性 好(即横向扩展小)， 有利于获得精确的 浅条掺 杂 ，可 提高 电 路的 集成 度和 成 品率 。 ③离 子 注 入 可 实现大面 积均匀掺 杂 并有高 的 浓度。 ④离 子 注 入 不受化 学 结 合力、 扩散系数和 固 溶度等 的 限制， 能 在 任意所需的 温度下进行掺 杂 。 ⑤离 子 注 入 可 达到 高 纯度掺 杂 的 要求，避免有害物 质 进入 半 导 体 材 料 ， 因而可 以提高 半 导 体 器件的 性 能 。 23.1 2 5 9 15 扩散： 热氧化工艺： 热 氧 化 法 是 在 高 温 下（ 900℃-1200℃） 使 硅 片 表 面 形 成 二 氧 化 硅 膜 的 方 法 。热 氧 化 的 目 的 是 在 硅 片 上 制 作 出 一 定 质 量 要 求 的 二 氧 化 硅 膜 ，对 硅 片 或 器 件 起 保护 、钝化 、绝缘、缓冲介质 等作 用。 硅 片 氧 化 前的 清洗、热 氧 化 的 环境及过程是制 备高 质 量 二 氧 化 硅 膜 的 重要 环节。 影响氧 化 速率的 因素： 氧 化 温 度、硅 片 晶向、掺杂杂质 浓度、氯化 物、氧 化 剂分压 24.1 2 7 12 氧化： 热 氧 化 工 艺 的 原 理 就 是 在 硅 衬 底 上 生 成 高 质 量 的 二 氧 化 硅 薄 膜 。热 氧 化 工 艺分 为 干 氧 氧 化 和 湿 氧 氧 化 热 氧 化 是 高 温 工 艺 。 在 高 温 下 ， 一 开 始 是 氧 原 子 与 硅 原 子 结 合 ， 二 氧 化 硅 的生 长 是 一 个 线 性 过 程 ...
