半导体物理学习题答案(有目录)

1 半导体物理习题解答 目录 1－1．（P32）设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量Ec（k）和价带极大值附近能量Ev（k）分别为： ........................................................................................................................................................... 2 1－2．（P33）晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m，107V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。 ........................................................................................................... 3 3－7．（P81）①在室温下，锗的有效状态密度 Nc＝1.05×1019cm－3，Nv＝5.7×1018cm－3，试求锗的载流子有效质量mn*和mp*。 ................................................................................................................... 3 3－8．（P82）利用题7 所给的Nc 和Nv 数值及 Eg＝0.67eV，求温度为300k 和500k 时，含施主浓度ND＝5×1015cm-3，受主浓度 NA＝2×109cm-3 的锗中电子及空穴浓度为多少？ ..................................... 4 3－11．（P82）若锗中杂质电离能△ED＝0.01eV，施主杂质浓度分别为ND＝1014cm-3 及 1017cm-3，计算(1)99%电离，(2)90%电离，(3)50%电离时温度各为多少？ ................................................................. 5 3－14．（P82）计算含有施主杂质浓度 ND＝9×1015cm-3 及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3 的硅在 300k时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。 ............................................................................................... 6 3－18．（P82）掺磷的n 型硅，已知磷的电离能为0.04eV，求室温下杂质一般电离时费米能级的位置和磷的浓度。 ................................................................................................................................................... 7 3－19．（P82）求室温下掺锑的n 型硅，使 EF＝(EC＋ED)/2 时的锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。 ........................................................................................................................................................................... 7 3－20．（P82）制造晶体管一般是在高杂质浓度...