半导体物理学期末复习试题及答案三

系别 班次 学号 姓名 . ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第 1 页 共 8页 1 一、选择题。 1. 电离后向半导体提供空穴的杂质是（ A ），电离后向半导体提供电子的杂质是（ B ）。 A. 受主杂质 B. 施主杂质 C. 中性杂质 2. 在室温下，半导体 Si 中掺入浓度为31410cm 的磷杂质后，半导体中多数载流子是（ C ），多子浓度为（ D ），费米能级的位置（ G ）；一段时间后，再一次向半导体中掺入浓度为315101.1cm 的硼杂质，半导体中多数载流子是（ B ），多子浓度为（ E ），费米能级的位置（ H ）；如果，此时温度从室温升高至K550，则杂质半导体费米能级的位置（ I ）。（已知：室温下，31010cmni；K550时，31710cmni） A. 电子和空穴 B. 空穴 C. 电子 D. 31410cm E. 31510cm F. 315101.1cm G. 高于iE H. 低于iE I. 等于iE 3. 在室温下，对于 n 型硅材料，如果掺杂浓度增加，将导致禁带宽度（ B ），电子浓度和空穴浓度的乘积00 pn（ D ）2in ，功函数（ C ）。如果有光注入的情况下，电子浓度和空穴浓度的乘积 np（ E ）2in 。 A. 增加 B. 不变 C. 减小 D. 等于 E. 不等于 F. 不确定 系别 班次 学号 姓名 . ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 第 2 页 共 8页 2 4. 导带底的电子是( C )。 A. 带正电的有效质量为正的粒子 B. 带正电的有效质量为负的准粒子 C. 带负电的有效质量为正的粒子 D. 带负电的有效质量为负的准粒子 5. P 型半导体 MIS 结构中发生少子反型时，表面的导电类型与体材料的类型（ B ）。在如图所示 MIS 结构的 C-V 特性图中，代表去强反型的（ G ）。 A. 相同 B. 不同 C. 无关 D. AB 段 E. CD 段 F. DE 段 G. EF 和 GH 段 6. P 型半导体发生强反型的条件（ B ）。 A. iASnNqTkVln0 B. iASnNqTkVln20 C. iDSnNqTkVln0 D. iDSnNqTkVln20 7. 由于载流子存在浓度梯度而产生的电流是（ B ）电流，由于载流子在一定电场力的作用下而产生电流是（ A ）电流。 A. 漂移 B. 扩散 C. 热运动 8. 对于掺杂的硅材料，其电阻率与掺杂浓度和温度的关系如图所示，其中...