一、 选择题 1. 如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（ A ）导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（ E ）导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（ C ）导电为主。 A、本征 B、受主 C、空穴 D、施主 E、电子 2. 受主杂质电离后向半导体提供（ B ），施主杂质电离后向半导体提供（ C ），本征激发向半导体提供（ A ）。 A. 电子和空穴 B. 空穴 C. 电子 3. 电子是带（ B ）电的（ E ）；空穴是带（ A ）电的（ D ）粒子。 A、正 B、负 C、零 D、准粒子 E、粒子 4. 当 Au 掺入 Si 中时，它是（ B ）能级，在半导体中起的是（ D ）的作用；当 B 掺入 Si 中时，它是（ C ）能级，在半导体中起的是（ A ）的作用。 A、受主 B、深 C、浅 D、复合中心 E、陷阱 5. MIS 结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（ A ）。 A. 相同 B. 不同 C. 无关 6. 杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（ B ）。 A.变大，变小 ；B.变小，变大；C.变小，变小； D.变大，变大。 7. 砷有效的陷阱中心位置（B ） A. 靠近禁带中央 B. 靠近费米能级 8. 在热力学温度零度时，能量比FE 小的量子态被电子占据的概率为（ D ），当温度大于热力学温度零度时，能量比FE 小的量子态被电子占据的概率为（ A ）。 A. 大于 1/2 B. 小于 1/2 C. 等于 1/2 D. 等于 1 E. 等于 0 9. 如图所示的 P 型半导体 MIS 结构 的 C-V 特性图中，AB 段代表 （ A），CD 段代表（ B ）。 A. 多子积累 B. 多子耗尽 C. 少子反型 D. 平带状态 10. 金属和半导体接触分为：（ B ）。 A. 整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 B. 整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 C. 非整流的肖特基接触和整流的欧姆接触 D. 非整流的肖特基接触和非整流的欧姆接触 11. 一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t 后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（ A ）。 A. 1/e B. 1/2 C. 0 D. 2/e 12. 载流子在电场作用下的运动为（ A ），由于浓度差引起的运动为（ B ）。 A. 漂移运动 B. 扩散运动 C. 热运动 13．锗的晶格结构和能带结构分别是（ C ）。 A. 金刚石型和直...
