第 1 页 共 5 页 安徽大学20 09— 20 10 学年第 一 学期 《 半导体物理学 》考试试卷（B 卷） （闭卷 时间120 分钟） 一、选择题（每小题 2 分，共20 分） 1. 本征半导体是指( )的半导体。 A. 不含杂质和缺陷B. 电子浓度和空穴浓度相等 C. 电阻率高D. 电子浓度与本征载流子浓度相等 2. 关于 Si 的能带特征，以下描述错误的是( )。 A. 导带底位于六个等效的<100>方向B. 价带顶位于布里渊区中心C. Si 是直接带隙半导体D. 导带底附件的等能面是旋转椭球面3. 导带底附件的状态密度为( )cgE ，电子占据能级 E 的几率为( )BfE ，则导带电子浓度为( )。 A. ( )( )cBgE fE B. ( )( )cBgE fE dE C. ( )cEccEgE dE′∫ D. ( )( )cEccBEgE fE dE′∫4. 简并半导体是指( )的半导体。 A. (Ec－EF)或(EF-Ev)≤0 B. (Ec－EF)或(EF-Ev)≥0 C. 能使用玻尔兹曼近似计算载流子浓度 D. 导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电子 5. 对于 n 型非简并半导体，在饱和区，电阻率随温度上升而增加，可能的原因是( )。 A. 电离杂质的散射增强 B. 晶格振动散射增强题 号一 二三四五六七总分得 分阅卷人院/系 年级 专业 姓名 学号答 题 勿 超 装 订 线 ------------------------------装---------------------------------------------订----------------------------------------线---------------------------------------- 得 分第 2 页 共 5 页 C. 载流子浓度减少D. 杂质没有完全电离 6. 对于小注入的n 型半导体，电子和空穴的准费米能级分别为nFE 和pFE 。平衡态时的费米能级FE 。下述内容正确的是( )。 A.npFFFEEE== B.npFFFFEEEE−<− C.pnFFFFEEEE−<− D. pnFFEE>7. 有效陷阱的能级必靠近( )。 A. 禁带中部B. 导带C. 价带D. 费米能级 8. 实际p-n 结的反向电流大于理想p-n 结的反向电流，其原因是( )。 A. 势垒区中的复合电流B. 势垒区中的产生电流 C. 反向击穿D. 大注入效应 9. 金属和p 型半导体接触时，如果smWW <，则半导体表面形成( )。 A. n 型阻挡层 B. p 型阻挡层 C. n 型反阻挡层 D. p 型反阻挡层 10. 在p 型半导体构成的理想MIS 结构中，当金属端所加电压VG 大于开启电压VT 时，半导体表面空间电荷的特征是( )。 A. 正电荷，多子堆积B. 负电荷，少子堆积 C. 负电荷，多子耗...
