半导体集成电路工艺复习

第 一 次 作 业 ： 1， 集 成 时 代 以 什 么 来 划 分 ？ 列 出 每 个 时 代 的 时 间 段 及 大 致 的 集 成 规 模 。 答 ： 类 别 时 间 数 字 集 成 电 路 模 拟 集 成 电 路 MOS IC 双 极 IC SSI 1960s 前 期 MSI 1960s~1970s 100～ 500 30～ 100 LSI 1970s 500～ 2000 100～ 300 VLSI 1970s 后 期 ~1980s 后 期 >2000 >300 ULSI 1980s 后 期 ~1990s 后 期 GSI 1990s 后 期 ~20 世 纪 初 SoC 20 世 纪 以 后 2， 什 么 是 芯 片 的 集 成 度 ？ 它 最 主 要 受 什 么 因 素 的 影 响 ？ 答 ： 集 成 度 ： 单 个 芯 片 上 集 成 的 元 件 （ 管 子 ） 数 。 受 芯 片 的 关 键 尺 寸 的 影 响 。 3， 说 明 硅 片 与 芯 片 的 主 要 区 别 。 答 ： 硅 片 是 指 由 单 晶 生 长 ， 滚 圆 ， 切 片 及 抛 光 等 工 序 制 成 的 硅 圆 薄 片 ， 是 制 造 芯 片 的 原 料 ，用 来 提 供 加 工 芯 片 的 基 础 材 料 ； 芯 片 是 指 在 衬 底 上 经 多 个 工 艺 步 骤 加 工 出 来 的 ， 最 终 具 有 永久 可 是 图 形 并 具 有 一 定 功 能 的 单 个 集 成 电 路 硅 片 。 4， 列 出 集 成 电 路 制 造 的 五 个 主 要 步 骤 ， 并 简 要 描 述 每 一 个 步 骤 的 主 要 功 能 。 答 ： 晶 圆 (硅 片 )制 备(Wafer Preparation)； 硅 (芯 ）片 制 造 (Wafer Fabrication)：在 硅 片 上 生 产出 永 久 刻蚀在 硅 片 上 的 一 整套集 成 电 路 。 硅 片 测试/拣选(Die Test/Sort)： 单 个 芯 片 的 探测和电 学测试， 选择出 可 用 的 芯 片 。 装配与 封装(Assembly and Packaging)： 提 供 信号及 电 源线进出 硅 芯 片 的 界面； 为芯 片 提 供机械支持， 并 可 散去由 电 路 产生 的 热能 ； 保护芯 片 免受 如潮湿等 外界环境条件 的 影 响 。 成 品测试与 分 析（ 或终 测） (Final Test)： 对封装后 的 芯 片 进行测试， 以 确定 是 否满足电学和特性参数 要 求。 5， 说 明 封装的 主 ...