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可控硅原理检测击穿分析

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一、 可控硅击穿原因: 1、RC 电路只是用于尖峰脉冲电压的吸收(平波作用),RC 时间常数应和尖峰脉冲上升沿时间一致,并且要注意电容的高频响应,应使用高频特性好的。 2、压敏电阻本身有反应时间,该反应时间必须要小于可控硅的最大过压脉冲宽度,而且压敏电阻的过压击穿电压值有一定的离散性,实际的和标识的值有一定的误差。 3、击穿的可能性好多种,过电流,过电压.短路,散热不好都会被击穿.RC 电路或压敏电阻只是吸收尖峰脉冲电压.和涌浪电压用的有条件.可以增大双向可控硅容量,这能有效减少以上的问题,如果是短路就要查明短路原因 二、问题例子: 最初使用 MOC3061+BT131 控制电磁阀,BT131 击穿很多;后来将 BT131 更换成BT136 虽然有多改善,但还是偶尔有击穿。电路图如下 实际电路中R56 没焊,R55 为330 欧姆。 电路有 RC 吸收、压敏电阻保护电路,负载为电磁阀,负载电流最多不超过100mA,按说1A 的 BT131 就已经足够了,但使用 4A 的 BT136 还偶尔会坏,是可控硅质量问题,还是我的电路参数有问题? 另外 ,有谁 知 道 可控硅的门 极 触 发 电流是怎 么 计 算 得 来的? 在 之 前 的 BT131 电路中R55、R56 的阻值是 330 欧姆,后来的 BT136 电路中去 掉了R56、R55 的阻值还是 330 欧姆。 是不是这个 值太 小了,触 发 电流太 大引 起 的损 坏? 关 于电路图做 一下补 充 : 1.电阻 R68 实际用的是 75 欧姆 2.电容C11 用的是103 630V(0.01u) 3.压敏电阻R75 用的是471V 的 回答一: 对双向可控硅驱动,技术已十分成熟了。对感性负载,驱动电路不要这样接,有经典的参考电路,请参考相应的资料。 我认为该处应该用CBB电容(聚 丙烯电容(CBB)),其特性有利于浪涌的吸收。如果受体积限制,类似的电路我也这样用。 CBB电容 回答二: 照这个图来做,烧了可控硅那就是你的质量太差了! 此电路我用了3 年,现在还在用。 左边的电路为恒流,输入5-30V 都不会烧坏光耦。 R3 一定要用20-50 欧以内的电阻,不可以用上百欧的否则可控硅无法完全导通,一直处于调压状态,很容易发热甚至损坏 回答三: 回答四: 其实有一点大家可能都没有注意,就是可控硅的尾缀问题,TW 的才是更适合电机类使用的器件!仔细查一下手册看看吧! 三、可控硅检测: 注:本文中所使用的万用表为指针式,若换为数字式,注意红黑表笔极性正好相反 1、判断...

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