一、 可控硅击穿原因： 1、RC 电路只是用于尖峰脉冲电压的吸收（平波作用），RC 时间常数应和尖峰脉冲上升沿时间一致，并且要注意电容的高频响应，应使用高频特性好的
2、压敏电阻本身有反应时间，该反应时间必须要小于可控硅的最大过压脉冲宽度，而且压敏电阻的过压击穿电压值有一定的离散性，实际的和标识的值有一定的误差
3、击穿的可能性好多种,过电流,过电压
短路,散热不好都会被击穿
RC 电路或压敏电阻只是吸收尖峰脉冲电压
和涌浪电压用的有条件
可以增大双向可控硅容量，这能有效减少以上的问题,如果是短路就要查明短路原因 二、问题例子： 最初使用 MOC3061+BT131 控制电磁阀，BT131 击穿很多；后来将 BT131 更换成BT136 虽然有多改善，但还是偶尔有击穿
电路图如下 实际电路中R56 没焊，R55 为330 欧姆
电路有 RC 吸收、压敏电阻保护电路，负载为电磁阀，负载电流最多不超过100mA，按说1A 的 BT131 就已经足够了，但使用 4A 的 BT136 还偶尔会坏，是可控硅质量问题，还是我的电路参数有问题
另外 ，有谁 知 道 可控硅的门 极 触 发 电流是怎 么 计 算 得 来的
在 之 前 的 BT131 电路中R55、R56 的阻值是 330 欧姆，后来的 BT136 电路中去 掉了R56、R55 的阻值还是 330 欧姆
是不是这个 值太 小了，触 发 电流太 大引 起 的损 坏
关 于电路图做 一下补 充 ： 1
电阻 R68 实际用的是 75 欧姆 2
电容C11 用的是103 630V（0
01u） 3
压敏电阻R75 用的是471V 的 回答一： 对双向可控硅驱动，技术已十分成熟了
对感性负载，驱动电路不要这样接，有经典的参考电路，请参考相应的资料
我认为该处应该用ＣＢＢ电容(聚 丙烯电容（CBB）)，其特性有利于浪涌
