精品文档---下载后可任意编辑Si 基 GaNHEMT 结构 MOCVD 生长讨论中期报告基于 MOCVD 技术，我们成功生长了 Si 基 GaNHEMT 结构，该结构具有极高的电子迁移率和较低的电阻。下面是这项讨论的中期报告：生长条件：在衬底 Si(111)上生长了一个 200 nm 厚的 AlN buffer层，然后通过 MOCVD 在 AlN buffer 层上生长了 GaN 和 AlGaN 层。其中 GaN 层厚度为 5 um，AlGaN 层厚度为 15 nm，掺杂浓度为 1 x 10^18 cm^-3。最后在上面的 AlGaN 层上生长了 20 nm 厚的 InAlN保护层，以保护 AlGaN 层免受氧化的影响。表征结果：采纳 XRD、AFM、HR-TEM、EDS 等技术对生长的样品进行了表征。XRD 结果表明 GaN 和 AlGaN 层的结晶质量良好，无明显杂质。AFM 结果表明表面光洁度好，无明显缺陷。HR-TEM 结果表明GaN 和 AlGaN 之间的界面质量良好，无明显错配和滑移。EDS 结果表明样品元素组成均匀，满足设计要求。电学测试结果表明该结构具有极高的电子迁移率和较低的电阻，符合 GaNHEMT 器件的特性。总结：该生长 Si 基 GaNHEMT 结构的讨论成功地利用 MOCVD 技术实现了对 GaN 和 AlGaN 层的精确控制，采纳 AlN buffer 层和 InAlN保护层有效地防止了氧化等杂质污染，制备出具有良好结晶质量、表面光洁度好、界面质量良好、元素组成均匀、电性能优良等特点的结构。该结构可用于高频、高功率电子器件等领域，具有宽阔的应用前景。
