精品文档---下载后可任意编辑SOI MOSFET 体电流模型参数提取的开题报告开题报告题目：SOI MOSFET 体电流模型参数提取一、讨论背景及意义纳米电子学技术的进展带来了半导体器件尺寸的不断缩小，而在这一过程中， 硅片的材料性质限制逐渐显露出来，最终成为了限制器件性能提升的瓶颈。SOI 技术的进展能够有效地克服这一问题，因此亦得到越来越广泛的应用。SOI MOSFET 的性能比传统的 MOSFET 要好得多，主要表现在设备的开关特性，噪声性能，耐压能力等方面的提升，因此被广泛地应用在射频，功率电子等领域。但是，以体电流作为 MOSFET 设备特征的方法，由于在 SOI 器件上的制造工艺和结构差异比较大，因此在没有有效的参数提取方法的情况下，很难准确地反映器件的特性。因此，使 SOI MOSFET 体电流模型参数提取成为一个热点问题，主要应对这一问题需要提出合理、精确、简单的参数提取方法，从而提高 SOI MOSFET 器件的性能和可靠性。二、讨论内容本讨论拟采纳如下方法:1.通过设计 SOI MOSFET 器件，搭建测试系统，进行器件制造及参数测试。2.使用基于小信号等效电路的方法讨论器件特性和电荷控制行为，提取器件特征参数。3.综合实验测试、建模仿真的方法，验证提取参数是否准确可靠。4.深化讨论这些参数的物理意义和参数间的关系，分析影响因素，并建议器件制造工艺的改进方案。三、讨论方法与技术路线1.以 SOI 为基础，采纳制造工艺，搭建测试系统。2.进行非线性参数测试，如转移特性，恒流源模型等，提取器件模型特征参数。3.采纳小信号等效电路的方法，讨论器件电路特性和电荷控制行为，并提取器件特征参数。4.使用器件参数，进行建模仿真，分析提取参数的准确可靠性和抗噪声能力。5.衡量这些参数的物理含义和参数之间的关系，并分析影响因素，提出器件制造工艺的改进建议。四、预期讨论成果1.开发出适用于 SOI MOSFET 器件的经过验证的参数提取方法，为器件制造和性能提升提供支持。精品文档---下载后可任意编辑2.通过对器件特征参数的讨论，实现对器件性能的全面解析，为器件制造过程的优化提供理论依据。3.在 SOI MOSFET 器件体电流模型参数提取方面，对相关领域进展起到推动作用。五、论文大纲1. 总论2. SOI MOSFET 的制造工艺和特点3. SOI MOSFET 器件的体电流模型4. 基于小信号等效电路的器件参数提取方法5. 器件参数的准确性和可靠性的验证6. 参数的物理含义和参数之间的关系7. 器件制造工艺的...
