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SrTiO3GaN薄膜生长初期粒子吸附模型与机理研究的开题报告

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精品文档---下载后可任意编辑SrTiO3GaN 薄膜生长初期粒子吸附模型与机理讨论的开题报告题目:SrTiO3/GaN 薄膜生长初期粒子吸附模型与机理讨论背景和意义:SrTiO3 和 GaN 都是重要的半导体材料,具有广泛的应用前景。将它们组合在一起则可以得到具有优异性能的异质结构材料。目前,晶界和杂质介质对 SrTiO3/GaN 异质结的性能和稳定性具有重要作用。因此,了解这些杂质颗粒在 SrTiO3/GaN 生长过程中的吸附动力学和机理是非常必要的。讨论目的:本文旨在通过粒子吸附模型和物理分析来讨论产生在 SrTiO3/GaN薄膜生长初期的杂质颗粒吸附机理,探究其影响因素及其对薄膜性质的影响。讨论内容:1. 利用密度泛函理论计算 SrTiO3/GaN 异质结薄膜表面的活性位点;2. 构建 SrTiO3/GaN 界面杂质吸附的动力学模型;3. 通过分子动力学模拟讨论杂质颗粒在 SrTiO3/GaN 界面上的吸附行为;4. 通过实验验证模拟结果,探究杂质颗粒对 SrTiO3/GaN 薄膜性质的影响。讨论方法:本讨论所用方法主要包括理论计算、模型构建、分子动力学模拟和材料表征。理论计算主要采纳密度泛函理论,计算 SrTiO3/GaN 异质结薄膜表面处的活性位点。模型构建主要是根据已有理论与实验结果,构建适合于 SrTiO3/GaN 薄膜生长初期的粒子吸附模型。分子动力学模拟是以该模型为基础,采纳量子化学方法模拟杂质颗粒在 SrTiO3/GaN 界面吸附过程。材料表征则通过实验分析杂质颗粒对 SrTiO3/GaN 薄膜性质的影响。预期结果:精品文档---下载后可任意编辑1. 描述 SrTiO3/GaN 薄膜生长初期杂质颗粒的吸附机理,得到杂质颗粒在 SrTiO3/GaN 界面的吸附能和吸附构型等参数;2. 验证模拟结果的可靠性,并探究杂质颗粒对 SrTiO3/GaN 薄膜结构、电学等性质的影响;3. 对形成高质量 SrTiO3/GaN 异质结的工艺提出建议,为相关器件的讨论和应用提供基础理论和实验依据。

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