精品文档---下载后可任意编辑SrTiO3GaN 薄膜生长初期粒子吸附模型与机理讨论的开题报告题目：SrTiO3/GaN 薄膜生长初期粒子吸附模型与机理讨论背景和意义：SrTiO3 和 GaN 都是重要的半导体材料，具有广泛的应用前景。将它们组合在一起则可以得到具有优异性能的异质结构材料。目前，晶界和杂质介质对 SrTiO3/GaN 异质结的性能和稳定性具有重要作用。因此，了解这些杂质颗粒在 SrTiO3/GaN 生长过程中的吸附动力学和机理是非常必要的。讨论目的：本文旨在通过粒子吸附模型和物理分析来讨论产生在 SrTiO3/GaN薄膜生长初期的杂质颗粒吸附机理，探究其影响因素及其对薄膜性质的影响。讨论内容：1. 利用密度泛函理论计算 SrTiO3/GaN 异质结薄膜表面的活性位点；2. 构建 SrTiO3/GaN 界面杂质吸附的动力学模型；3. 通过分子动力学模拟讨论杂质颗粒在 SrTiO3/GaN 界面上的吸附行为；4. 通过实验验证模拟结果，探究杂质颗粒对 SrTiO3/GaN 薄膜性质的影响。讨论方法：本讨论所用方法主要包括理论计算、模型构建、分子动力学模拟和材料表征。理论计算主要采纳密度泛函理论，计算 SrTiO3/GaN 异质结薄膜表面处的活性位点。模型构建主要是根据已有理论与实验结果，构建适合于 SrTiO3/GaN 薄膜生长初期的粒子吸附模型。分子动力学模拟是以该模型为基础，采纳量子化学方法模拟杂质颗粒在 SrTiO3/GaN 界面吸附过程。材料表征则通过实验分析杂质颗粒对 SrTiO3/GaN 薄膜性质的影响。预期结果：精品文档---下载后可任意编辑1. 描述 SrTiO3/GaN 薄膜生长初期杂质颗粒的吸附机理，得到杂质颗粒在 SrTiO3/GaN 界面的吸附能和吸附构型等参数；2. 验证模拟结果的可靠性，并探究杂质颗粒对 SrTiO3/GaN 薄膜结构、电学等性质的影响；3. 对形成高质量 SrTiO3/GaN 异质结的工艺提出建议，为相关器件的讨论和应用提供基础理论和实验依据。
