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VirtualSource模型模拟分析GaN基电子器件特性研究中期报告

VirtualSource模型模拟分析GaN基电子器件特性研究中期报告_第1页
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精品文档---下载后可任意编辑VirtualSource 模型模拟分析 GaN 基电子器件特性讨论中期报告VirtualSource 模型是一种基于物理机制的模型,可以用来模拟GaN 基电子器件的特性。本讨论旨在使用 VirtualSource 模型对 GaN基电子器件进行模拟分析,并讨论其特性。目前已经完成了一半的讨论工作,现在进行中期报告。在讨论过程中,我们首先对 VirtualSource 模型进行了学习,并对其进行了改进。通过引入额外的物理机制,我们成功地将模型扩展到了GaN 材料系统中。特别地,我们修改了模型中的输运方程和空间电荷效应,以适应 GaN 材料的特性。接着,我们使用改进后的 VirtualSource 模型对 GaN 基电子器件进行了模拟。我们选择了两个常用的 GaN 器件作为讨论对象:MOSFET 和HEMT。通过对器件的结构和材料参数进行设定,我们获得了器件的静态和动态特性,如漏电流、开关速度等。最后,我们对模拟结果进行了分析和讨论。我们发现,改进后的VirtualSource 模型对 GaN 基电子器件的模拟效果很好,可以准确地预测器件的性能。同时,我们也发现 GaN 材料的特性会对器件特性产生重要影响,需要在设计中予以考虑。在未来的讨论中,我们将进一步改进 VirtualSource 模型,以更准确地模拟 GaN 基电子器件的特性。同时,我们也将继续讨论 GaN 材料的特性,并将其应用到器件设计中,以获得更好的性能。

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