精品文档---下载后可任意编辑ZnO MOCVD 的生长模拟及 Mn 的原位掺杂讨论的开题报告开题报告：一、选题背景氧化锌（ZnO）的应用领域很广，如光电子学器件、传感器、发光二极体、太阳能电池等。其中，ZnO 发光二极管是近年来讨论的热点之一，而其中的难点在于控制载流子浓度和 Mn 掺杂。原位掺杂是一种常见的掺杂方法，可以在生长过程中将材料中的杂质掺入。对于ZnO 来说，Mn 离子是一种常用的杂质，可以通过原位掺杂来实现。但是，Mn 的掺入需要在生长过程中进行控制，这需要对 ZnO 生长和 Mn 原位掺杂的机理进行深化讨论。二、讨论内容和方法本讨论的主要内容为生长模拟和 Mn 原位掺杂讨论。具体来说，将采纳 MOCVD方法生长 ZnO 薄膜，并通过数值模拟的方法讨论生长过程中的温度、流量和压力等参数对薄膜品质的影响。同时，通过原位掺杂的方法掺入不同浓度的 Mn，讨论 Mn 掺杂对 ZnO 薄膜结构和性质的影响。三、讨论意义和预期成果本讨论将对 ZnO 发光二极管的制备提供理论依据和实验支持。通过讨论 ZnO 生长和 Mn 原位掺杂的机理，有望解决发光二极管中载流子浓度和掺杂问题，提高其发光效率和稳定性。同时，本讨论将深化了解 MOCVD 方法生长 ZnO 薄膜的机制，对其它氧化物的生长讨论也具有一定的参考价值。预期成果为：（1）讨论 ZnO 生长时不同参数（温度、流量、压力等）对薄膜品质的影响，得到优良的 ZnO 薄膜；（2）通过原位掺杂方法实现 Mn 掺杂，并讨论 Mn对 ZnO 薄膜结构和性质的影响；（3）深化了解 MOCVD 方法的机制，并为其它氧化物的生长提供参考和借鉴。四、进度安排第一年：进行 ZnO 薄膜生长和品质分析，初步讨论 Mn 原位掺杂方法，并确定掺杂浓度范围。第二年：进一步讨论 Mn 原位掺杂方法，讨论 Mn 对 ZnO 薄膜性质的影响，初步分析实验结果。第三年：深化分析实验结果，总结分析掺杂机理和生长机理，撰写毕业论文。以上为本讨论的开题报告。
