《单片机原理与技术》实验报告实验一:单片机IO口应用实验(P3
3输入P1输出)一、实验目的1、掌握单片机P3口、P1口简单使用
2、学习延时程序的编写和使用
二、实验原理和内容(1)实验原理1、P1口是准双向口,它作为输出口时与一般的双向口使用方法相同,由准双向口结构可知:当P1口作为输入口时,必须先对它置高电平,使内部MOS管截止,因内部上拉电阻是20KΩ—40KΩ,故不会对外部输入产生影响
若不先对它置高,且原来是低电平,则MOS管导通,读入的数据不正确
2、延时子程序的延时计算
对于延时的程序DELAY:MOVR6,#00HDELAY1:MOVR7,#80HDJNZR7,$DJNZR6,DELAY1查指令表可知MOV、DJNZ指令均需用两个机器周期,而一个机器周期时间长度为12/6
0MHZ,所以该段指令执行时间为:(((128+1)×256)+1)×2×(12÷6000000)=132
实验原理图如下:(2)实验内容1、P3
3口做输入口,外接一脉冲,每输入一个脉冲,P1口按十六进制加一输出
2、P1口做输出口,编写程序,使P1口接的8个发光二极管L0—L7按16进制加一的方式点亮发光二极管
三、实验步骤1、P3
3用插针连至K1,JU2(P1
7)用8芯线连至JL(L0~L7)
2、调试、运行程序test1中的MCUIO
3、开关K1每拨动一次,L0~L7发光二极管按16进制方式加一点亮
四、实验数据和结果由实验的当开关K1每拨动一次,L0~L7发光二极管按16进制方式加一点亮
五、实验总结P1口是准双向口,它作为输出口时与一般的双向口使用方法相同,由准双向口结构可知:当P1口作为输入口时,必须先对它置高电平,使内部MOS管截止,因内部上拉电阻是20KΩ—40KΩ,故不会对外部输入产生影响
若不先对它置高,且原来是低电平,则MOS管导通