LDMOS功率放大器的温度特性及其温补电路设计 引言 LDMOS 管是专为射频功率放大器设计的改进型n 沟道MOSFET，常工作在A 或AB 类，在工作点附近具有正的温度特性，即在一定的栅压下，当工作温度升高时，其静态电流Idq升高，当工作温度降低时，Idq 降低
一般的，当LDMOS 管热沉温度从20 度升高到100度时，其静态工作电流Idq 变化140%，当温度降低至0 度时，变化量也有30%
具体情况可以参见图1
Idq 变化会影响系统的增益、效率和线性等指标，其中又以线性影响最大
因此，在工作中维持功率管（特别是大功率管）Idq 恒定，是功放板设计的关键点之一
图1：恒定栅压情况下温度和静态电流关系 LDMOS功率管温度效应 器件的转移特性对 LDMOS 功率放大器至关重要
图2 描述了 Freescale 的一款晶体管在不同的热沉温度条件下，漏极电流Ids 与栅极电压Vgs 的关系
当Vgs 小于 3V 时，漏极电流Ids 几乎为零，当Vgs 增大至大于阀值电压Vt 时，跨导增加，漏极电流正比于（Vgs－Vt）^2，增加到0
5A 之后，Ids 跟随 Vgs 线性增加，约到3A，为线性区；当栅极电压继续增大时，Ids 趋近极限，到达饱和区
当管芯温度发生变化时，曲线在Ids＝1
5A 处顺时针方向旋转，这个点被称为零温度系数点（ZTC：Zero Temperatu re Coefficient Point）
在一定的栅极偏置电压下，小于这个电流时，Vt 随着温度的升高而降低，Ids 随温度的上升而上升，呈现出正的温度特性；大于这个电流时，电子迁移率随温度的升高而降低，使 Ids 降低，表现出负的温度特性
在0 度到80 度之间，为了保持静态电流Idq 恒定，温度每改变10 度，栅压就变化30mV，即LDMOS 管芯栅压的温度系数大约为3mV/度；当温度高于 90
